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3D QLC NANDフラッシュメモリ市場

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  3. 3D QLC NANDフラッシュメモリ市場

3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットサイズ、シェア、成長、および業界分析、タイプ(第4世代メモリ、その他)、対象(SSD、コンシューマーエレクトロニクス)、地域の洞察、2033年までの予測

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最終更新日: May 19 , 2025
基準年: 2024
履歴データ: 2020-2023
ページ数: 94
SKU ID: 26914660
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  • 概要
  • 目次
  • 推進要因と機会
  • セグメンテーション
  • 地域分析
  • 主要プレイヤー
  • 方法論
  • よくある質問
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3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットサイズ

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、2024年に2,383.9百万米ドルと評価され、2025年に2,491.2百万米ドルに達すると予測されており、2033年までに3,542.7百万米ドルに増加しています。

米国の3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、今後数年間で着実に成長すると予想されています。大容量貯蔵ソリューションの需要が増加すると、家電、データセンター、エンタープライズアプリケーションなどの業界全体で増加するにつれて、3D QLC NANDフラッシュメモリの採用が上昇するように設定されています。この成長は、データストレージ、クラウドコンピューティング、および次世代デバイスの進歩をサポートするための、より効率的で費用対効果の高いメモリソリューションの必要性によって推進されます。

重要な調査結果

  • 3D QLC NANDフラッシュメモリは、グローバルNANDフラッシュ市場で30%のシェアを保持しています。
  • 大容量ストレージのためのデータセンターとクラウドサービスプロバイダーからの需要の25%増加。
  • 自動車セクター、特にADASおよびインフォテインメントシステムでの採用の20%。
  • ゲーム業界の高性能保管の必要性の15%の年間成長。
  • 家電部門は、高密度貯蔵ソリューションの需要により、市場シェアの35%を貢献しています。
  • 人工知能(AI)および機械学習アプリケーションのデータストレージの需要の増加は18%増加します。
  • 産業部門は、IoTデバイスで3D QLC NANDフラッシュメモリの使用が10%増加していることを示しています。
  • 3D QLC NANDフラッシュメモリには、消費者ラップトップとPCの使用量が12%増加すると予想されます。
  • スマートフォンのようなモバイルデバイスは、2025年までに3D QLC NANDフラッシュ市場の28%を占めると予測されています。
  • データのセキュリティと信頼性は、3D QLC NANDフラッシュメモリソリューションの採用の増加に貢献する重要な要因です。

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場

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3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、従来のフラッシュメモリテクノロジーと比較してより低コストでストレージ容量をより低いコストで提供する能力により、ストレージソリューション業界の重要なプレーヤーとして浮上しています。 3D QLC NANDフラッシュメモリは、セルごとに4ビットを格納しているため、コンパクトなフォームで大量のデータストレージを提供できます。これにより、データセンター、家電、エンタープライズレベルのソリューションなど、膨大な量のストレージを必要とするアプリケーションに最適です。 NANDフラッシュメモリテクノロジーの継続的な進歩により、3D QLC NAND Flashの市場は、費用効率の高い大容量貯蔵の需要の増加によって急速に成長しています。

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場の動向

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、競争力のある価格での大容量貯蔵の可能性があるため、さまざまなセクターで急速な採用を目指しています。最近の報告の時点で、3D QLC NANDフラッシュは、NANDフラッシュメモリ市場全体で30%のシェアを保持しており、ストレージスペースでの優位性が高まっています。特に、データセンターとクラウドサービスプロバイダーからの需要は、ビッグデータを管理し、高速データアクセスを維持するために膨大な量のストレージを必要とするため、25%増加しています。もう1つの重要な傾向は、コスト効率とストレージ密度により、スマートフォン、タブレット、SSDなどのデバイスで3D QLC NANDフラッシュメモリが牽引力を獲得しているコンシューマーエレクトロニクスの増加です。

また、自動車部門では、特に高度なドライバー支援システム(ADAS)やインフォテインメントシステムなどのアプリケーションで、3D QLC NANDフラッシュメモリの採用が20%増加しています。これらのアプリケーションでは、リアルタイムのデータ処理をサポートするために高密度ストレージが必要です。さらに、ゲーム業界は、ゲームコンソールのより大きく高速なストレージソリューションの必要性が毎年15%増加するため、3D QLC NANDフラッシュメモリに対する需要の増加を目撃しています。その結果、3D QLC NANDに基づくストレージソリューションは、主にさまざまな業界でのデータ集約型アプリケーションの急増によって促進される継続的な成長が見られると予測されています。

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場のダイナミクス

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場のダイナミクスは、幅広い産業における技術の進歩、競争力のある価格設定、および大容量貯蔵ソリューションの必要性によって主に形作られています。より速く、より効率的なストレージソリューションの需要が成長し続けるにつれて、3D QLC NANDテクノロジーは、より低コストで大容量を提供する能力を備えており、目立っています。企業は、クラウドコンピューティング、モバイルデバイスのデータストレージ、自動車システムなどのアプリケーション用に3D QLC NANDフラッシュメモリにますます依存しています。市場は、家電およびエンタープライズストレージソリューションにおける3D NANDテクノロジーの採用の拡大にも影響されます。

市場の成長の推進力

"大容量貯蔵ソリューションの需要の増加"

より高い貯蔵能力の需要は、3D QLC NANDフラッシュメモリセクターの市場成長の主要な推進力の1つです。 NANDフラッシュメモリの世界的な需要の約40%は、企業がクラウドサービスとビッグデータソリューションをますます採用しているため、データセンターからのものです。 3D QLC NANDフラッシュメモリがコンパクトなスペースにより多くのデータを保存する能力により、効率的で費用対効果の高いストレージが必要なこれらの業界にとって理想的です。さらに、市場の28%のシェアを占めるモバイルデバイスは、スマートフォンとタブレットがアプリ、メディア、その他のデータにより多くのストレージを必要とし続けているため、3D QLC NANDフラッシュ市場の成長にも貢献しています。

市場の抑制

"他のNANDテクノロジーと比較したパフォーマンスの制限"

ストレージ密度の利点にもかかわらず、3D QLC NANDフラッシュメモリは、TLC(トリプルレベルセル)やMLC(マルチレベルセル)などの他のNANDテクノロジーと比較してパフォーマンスの制限に直面しています。 3D QLC NANDフラッシュメモリは、耐久性が低く、パフォーマンスが低下する傾向があり、エンタープライズレベルのストレージやゲームシステムなどの高性能アプリケーションに対する適合性を制限できます。ユーザーの約18%は、ビデオ編集や高速データ処理など、重い書き込みサイクルを必要とするアプリケーションでの課題を報告しています。その結果、高性能環境での3D QLC NANDフラッシュメモリの採用はやや抑制されています。

市場機会

"クラウドコンピューティングとAIアプリケーションからの需要の高まり"

クラウドコンピューティングと人工知能(AI)アプリケーションは、3D QLC NANDフラッシュメモリ市場に大きな機会を提供しています。 AIを搭載したアプリケーションの増加、ビッグデータ分析、およびクラウドデータセンターの拡張により、大容量の低コストストレージソリューションの需要が生まれました。レポートによると、AIおよび機械学習アプリケーションだけで、今後数年間でNANDフラッシュメモリ需要が15%増加すると予想されています。これにより、3D QLC NANDフラッシュメモリに最適な機会が作成されます。これは、AIなどのデータ集約型アプリケーションの増大するニーズを満たすことができる費用対効果の高いストレージを提供します。

市場の課題

"新しいメモリテクノロジーとの競争"

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場の主な課題の1つは、IntelのOptaneや非揮発性メモリエクスプレス(NVME)テクノロジーの採用の増加など、新しい新興メモリテクノロジーとの競争です。これらの代替案は、特に高性能アプリケーションでは、3D QLC NANDと比較して、より高速なデータ転送速度とより大きな持久力を提供します。企業の約20%が、ミッションクリティカルなアプリケーションのためにNVMEストレージにシフトしており、3D QLC NANDフラッシュメモリのより広範な採用に挑戦しています。この技術競争は、高速で信頼性の高い貯蔵ソリューションを必要とするセクターの3D QLC NANDの市場成長を遅らせる可能性があります。

セグメンテーション分析

3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットは、タイプとアプリケーションによってセグメント化されています。 2つの主なタイプは、第4世代のメモリとNANDフラッシュメモリのその他のバリエーションです。これらのタイプは、パフォーマンス、容量、耐久性が異なり、第4世代の記憶は技術の進歩の観点からリードしています。アプリケーションセグメントには、SSD(Solid State Drives)とConsumer Electronicsが含まれており、SSDはパーソナルコンピューティングおよびデータストレージセクターの需要が高いため、支配的なアプリケーションです。特に企業でのデータ生成の成長と高性能コンピューティングソリューションの採用により、3D QLC NANDフラッシュメモリの需要が促進されます。さらに、スマートフォン、タブレット、およびその他の家電製品の大容量、より高速なストレージの必要性がこの市場にさらに燃料を供給しています。これらのテクノロジーの採用は、クラウドコンピューティング、ビッグデータ分析、およびIoTアプリケーションをより多くの業界を採用しているため、より大きく、より効率的なメモリストレージソリューションを必要とするため、増加すると予想されます。

タイプごとに

  • 第4世代の記憶:第4世代のメモリは、3D QLC NANDフラッシュメモリセクターの市場シェアの約60%を占めています。このタイプは、前世代と比較して、その速度、持久力、全体的なパフォーマンスを改善するために好まれます。エンタープライズSSDや消費者デバイスなど、高速読み取り/書き込み操作などの高性能ストレージソリューションでますます採用されています。クラウドデータセンターと消費者デバイスの高速ストレージと耐久性の向上の増加により、このセグメントの成長が促進されています。
  • 他の:市場の約40%を表す「その他の」タイプには、第4世代の仕様に合わない古い世代またはバリアントが含まれます。これらのメモリタイプは、パフォーマンスと耐久性の低下を提供する場合がありますが、エントリーレベルのストレージソリューション、予算スマートフォン、パフォーマンス要件の厳格な特定の家電などのコストに敏感なアプリケーションで使用されています。

アプリケーションによって

  • SSD(ソリッドステートドライブ):SSD市場は最大のアプリケーションセグメントを表し、3D QLC NANDフラッシュメモリの総市場シェアの約70%に寄与しています。 SSDは、従来のHDDと比較して優れた性能により、データセンター、パーソナルコンピューター、ラップトップ、およびエンタープライズストレージソリューションで広く使用されています。消費者とビジネス環境の両方における高速データアクセスとストレージソリューションの需要の増加は、このアプリケーションの成長を引き続き促進しています。
  • 家電:コンシューマーエレクトロニクスは、市場シェアの約30%を占めています。このカテゴリには、スマートフォン、タブレット、ウェアラブル、および効率的なストレージソリューションを必要とするその他の電子デバイスが含まれます。デバイスがより多くのデータを処理できるようになるにつれて、高度なNANDフラッシュメモリ、特に3D QLC NANDの需要が増加しています。コンシューマーエレクトロニクスのマルチメディアコンテンツとアプリのより大きなストレージ容量の必要性は、このセグメントの3D QLC NANDフラッシュメモリの安定した需要に貢献しています。

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地域の見通し

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、メモリストレージの技術的進歩、データ生成の増加、および家電の需要の高まりによって、複数の地域で着実に成長しています。北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域は、高度なテクノロジーインフラストラクチャと消費者と企業の両方のセクターの両方で貯蔵ソリューションの高い需要のために市場をリードしています。中東とアフリカ地域は、市場シェアは小さくなっていますが、インフラストラクチャの改善とモバイルおよびコンピューティングデバイスの浸透の増加により、採用が増加しています。

北米

北米は、3D QLC NANDフラッシュメモリ市場を支配しており、シェアは約40%です。これは、データセンター、パーソナルコンピューティングデバイス、およびエンタープライズストレージソリューションのSSDに対する高い需要によって推進されています。この地域のクラウドコンピューティングとビッグデータテクノロジーの採用により、大容量および高性能ストレージソリューションの需要がさらに促進されました。特に、米国は依然としてNANDフラッシュメモリの最大の消費者であり、人工知能、機械学習、デジタル変革イニシアチブなどの技術主導型の産業に多大な投資を行っています。

ヨーロッパ

ヨーロッパは、世界の3D QLC NANDフラッシュメモリ市場の約25%を保有しています。この地域では、SSDの需要が大幅に増加しており、家電とエンタープライズ環境の両方で高性能貯蔵ソリューションの使用の増加に左右されました。自動車、ヘルスケア、製造などの業界のIoTおよび自動化技術の進歩により、効率的でスケーラブルなメモリソリューションの必要性が増加しています。さらに、クラウドストレージの採用が拡大し、モバイルおよび接続されたデバイスの急増により、欧州市場は引き続き拡大しています。

アジア太平洋

アジア太平洋地域は、3D QLC NANDフラッシュメモリの最大かつ最速の地域であり、市場シェアの約35%に寄与しています。この地域の成長は主に、中国、日本、韓国などの国々がスマートフォン、タブレット、ラップトップなどの電子デバイスの生産と消費において重要なプレーヤーであるため、活況を呈しているコンシューマーエレクトロニクス市場によって推進されています。さらに、アジア太平洋地域には世界の製造能力が大幅にあり、中国や韓国などの国に拠点を置く多くのメモリモジュール生産施設があり、NANDフラッシュテクノロジーの地域の採用を加速しています。

中東とアフリカ

中東とアフリカ(MEA)市場は、世界の3D QLC NANDフラッシュメモリ市場の約5%を占めています。国が近代的なインフラストラクチャ、モバイルデバイス、高度な技術に投資するにつれて、この地域は徐々に成長しています。 MEA地域の先進市場と新興市場の両方でスマートフォンとパーソナルコンピューティングデバイスの採用は、高度なメモリソリューションの必要性を促進しています。インターネットの浸透とデジタル化の取り組みが増加するにつれて、より容量の高速でより速いストレージシステムの需要が増加すると予想され、この地域の将来の市場の成長に貢献します。

主要な3D QLC NANDフラッシュメモリマーケット企業のリストプロファイリング

  • 東芝
  • Samsung Electronics
  • SK Hynix半導体
  • ミクロン技術
  • Intel Corporation

シェアが最も高いトップ企業

  • サムスンエレクトロニクス:35%
  • Micronテクノロジー:25%

投資分析と機会

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、家電、データセンター、モバイルアプリケーションなど、さまざまなセクターにわたって高密度の高性能ストレージソリューションの需要が増加することにより、大きな投資を目撃しています。投資の約45%は、3D QLC NANDフラッシュメモリの製造能力の拡大に焦点を当てています。 SamsungやMicron Technologyなどの主要なプレーヤーは、特にクラウドコンピューティングやAIなどのデータが多い業界で、世界的な需要の高まりに対応するために施設での生産を増やすことにより、これらの取り組みをリードしています。

投資の大幅な30%が研究開発に導かれ、3D QLC NANDフラッシュメモリの効率とパフォーマンスの向上に焦点を当てています。企業は、メモリの寿命を強化し、データ転送速度を最大20%向上させ、以前のバージョンよりも15%多くのストレージ容量を提供する新しいデザインを開発しています。さらに、エラー補正技術の進歩は注目を集めています。これらは、高密度ストレージデバイスのデータの整合性を維持するために重要であるためです。

投資の約15%が電力効率を高めることを目的としています。 3D QLC NANDフラッシュメモリソリューションがモバイルおよびウェアラブルデバイスでますます採用されているため、メーカーはエネルギー消費を最適化しています。これらの開発は、NANDフラッシュメモリストレージに依存するデバイスでのバッテリー寿命が最大10%長くなります。

投資のさらに10%は、3D QLC NANDフラッシュソリューションの地理的リーチの拡大に向けられています。アジア太平洋地域、ラテンアメリカ、ヨーロッパの市場は、高性能ストレージを必要とするモバイルデバイス、IoT、および自動車システムの採用の増加に牽引されて、需要の増加を目の当たりにしています。これらの地域は、2025年までに3D QLC NANDフラッシュメモリの市場シェアが12%増加すると予想されています。

新製品開発

2025年、いくつかの企業が3D QLC NANDフラッシュメモリセグメントに新製品を導入し、家電およびエンタープライズデータシステムの大容量貯蔵ソリューションの必要性を高めています。これらの新製品の約40%は、ストレージ容量の拡大に焦点を当てており、最新のメモリチップはコンパクトなフォームファクターで最大1TBのストレージを提供し、スマートフォン、ラップトップ、ゲームコンソールでの大規模なストレージの需要の高まりを満たしています。

新製品の約30%は、3D QLC NANDフラッシュメモリのデータ転送速度の強化に集中しています。一部の新製品ラインは、前世代よりも25%速い読み取り/書き込み速度を達成しています。これらの進歩により、ブート時間の速度が高まり、レイテンシが削減され、システム全体のパフォーマンスが向上し、ゲーム、ビデオ編集、クラウドストレージのアプリケーションに最適です。

製品開発のさらに15%は、3D QLC NANDフラッシュメモリの信頼性と耐久性の向上に焦点を当てています。これには、従来のNANDフラッシュメモリと比較して最大20%長い寿命を提供するメモリチップの開発、およびデータセンターや組み込みシステムのミッションクリティカルなアプリケーションに重要なデータの整合性を確保するのに役立つ高度なエラー補正アルゴリズムが含まれます。

最後に、新製品の約15%がよりエネルギー効率の高いように設計されています。これらの新製品は省電力用に最適化されており、バッテリー寿命が重要な要素であるスマートフォン、タブレット、ウェアラブルなどのポータブルデバイスに最適です。発電機能の導入は、以前の世代と比較して電力消費を12%削減すると予想されています。

最近の開発

  • Samsung Electronics - 1TB 3D QLC NANDフラッシュメモリの発売:2025年、Samsungは、Consumer Electronics向けに新しい1TB 3D QLC NANDフラッシュメモリを導入し、前世代よりも30%多くのストレージ容量を提供しました。この新製品は、ゲームコンソールやハイエンドスマートフォンなどの高需要のアプリケーションを対象としています。
  • Micronテクノロジー - データ転送速度の進歩:2025年、Micron Technologyは、新しい3D QLC NANDフラッシュメモリモジュールを使用して、データ転送速度のブレークスルーを発表し、以前のモデルよりも25%高速で速度を提供しました。このイノベーションは、エンタープライズデータセンターとゲームアプリケーションのパフォーマンスを高めることが期待されています。
  • Intel Corporation - 耐久性3D QLC NANDフラッシュの導入:Intelは、2025年に高耐性の3D QLC NANDフラッシュメモリを導入しました。これは、データが多いアプリケーションの信頼性を高めるように設計されています。これらのモジュールは、摩耗が20%高いため、重要なデータストレージ環境での使用に最適です。
  • SK Hynix Semiconductor - 新しい電力効率の高い3D QLC NANDフラッシュ:SK Hynixは、2025年に新しい電力効率の高い3D QLC NANDフラッシュモジュールを発売し、消費電力を最大12%削減しました。このイノベーションは、エネルギー効率がパフォーマンスの重要な要素であるモバイルデバイスとラップトップ向けに設計されています。
  • 東芝 - 3D QLC NANDフラッシュ生産施設の拡張:2025年、東芝は3D QLC NANDフラッシュ生産施設を拡大して、世界的な需要の高まりに対応しました。この拡張は、同社の生産能力を15%増加させることを目的としており、家電やデータストレージ市場により良いサービスを提供できるようにします。

報告報告

3D QLC NANDフラッシュメモリ市場に関するレポートは、最新の市場動向、技術開発、競争の環境に関する包括的な分析を提供します。レポートの約40%は、家電、データセンター、モバイルデバイスの保管に対する需要の増加など、市場ドライバーに焦点を当てています。このレポートは、市場の成長を推進する重要な要因として、より高いストレージ能力とデータ転送速度の高速化の必要性の高まりを特定しています。

レポートの約30%は、競争力のある環境の詳細な分析に専念しており、東芝、サムスンエレクトロニクス、SKハイニックス、ミクロンテクノロジー、Intel Corporationなどの主要なプレーヤーをプロファイリングしています。彼らの市場戦略、製品の革新、最近の開発を強調し、これらの企業が将来の成長のために自分自身をどのように位置付けているかについての洞察を提供します。

レポートのさらに20%は、貯蔵容量、速度、耐久性、エネルギー効率の改善など、3D QLC NANDフラッシュメモリの技術的進歩について説明しています。これらのイノベーションが、ゲーム、モバイルデバイス、クラウドコンピューティングなどのアプリケーションのパフォーマンスを向上させることがどのように期待されるかを詳述しています。

レポートの最後の10%は地域市場分析に焦点を当てており、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋などの主要地域での3D QLC NANDフラッシュメモリ市場の成長を強調しています。これらの地域の企業が直面する市場の機会と課題に関する洞察を提供し、さまざまな地理的分野での予測される市場の成長を概説しています。

3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットレポートの詳細範囲とセグメンテーション
報告報告 詳細を報告します

カバーされているアプリケーションによって

SSD、家電

カバーされているタイプごとに

第4世代の記憶、その他

カバーされているページの数

94

カバーされている予測期間

2025〜2033

カバーされた成長率

予測期間中の4.5%のCAGR

カバーされている値投影

2033年までに3542.7百万米ドル

利用可能な履歴データ

2020年から2023年

カバーされている地域

北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、南アメリカ、中東、アフリカ

カバーされた国

米国、カナダ、ドイツ、英国、フランス、日本、中国、インド、南アフリカ、ブラジル

よくある質問

  • 2033年までに3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットが触れると予想される価値は?

    グローバル3D QLC NANDフラッシュメモリ市場は、2033年までに3542.7百万米ドルに達すると予想されます。

  • 2033年までに展示する予定の3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットはどのCAGRですか?

    3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットは、2033年までに4.5%のCAGRを示すと予想されます。

  • 3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットのトッププレーヤーは誰ですか?

    東芝、サムスンエレクトロニクス、SKハイニックス半導体、ミクロンテクノロジー、Intel Corporation

  • 2024年の3D QLC NANDフラッシュメモリマーケットの価値は何でしたか?

    2024年、3D QLC NANDフラッシュメモリ市場値は2億383.9百万米ドルでした。

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  • Bosnia and Herzegovina (Босна и Херцеговина)+387
  • Botswana+267
  • Brazil (Brasil)+55
  • British Indian Ocean Territory+246
  • British Virgin Islands+1284
  • Brunei+673
  • Bulgaria (България)+359
  • Burkina Faso+226
  • Burundi (Uburundi)+257
  • Cambodia (កម្ពុជា)+855
  • Cameroon (Cameroun)+237
  • Canada+1
  • Cape Verde (Kabu Verdi)+238
  • Caribbean Netherlands+599
  • Cayman Islands+1345
  • Central African Republic (République centrafricaine)+236
  • Chad (Tchad)+235
  • Chile+56
  • China (中国)+86
  • Christmas Island+61
  • Cocos (Keeling) Islands+61
  • Colombia+57
  • Comoros (‫جزر القمر‬‎)+269
  • Congo (DRC) (Jamhuri ya Kidemokrasia ya Kongo)+243
  • Congo (Republic) (Congo-Brazzaville)+242
  • Cook Islands+682
  • Costa Rica+506
  • Côte d’Ivoire+225
  • Croatia (Hrvatska)+385
  • Cuba+53
  • Curaçao+599
  • Cyprus (Κύπρος)+357
  • Czech Republic (Česká republika)+420
  • Denmark (Danmark)+45
  • Djibouti+253
  • Dominica+1767
  • Dominican Republic (República Dominicana)+1
  • Ecuador+593
  • Egypt (‫مصر‬‎)+20
  • El Salvador+503
  • Equatorial Guinea (Guinea Ecuatorial)+240
  • Eritrea+291
  • Estonia (Eesti)+372
  • Ethiopia+251
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  • France+33
  • French Guiana (Guyane française)+594
  • French Polynesia (Polynésie française)+689
  • Gabon+241
  • Gambia+220
  • Georgia (საქართველო)+995
  • Germany (Deutschland)+49
  • Ghana (Gaana)+233
  • Gibraltar+350
  • Greece (Ελλάδα)+30
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  • Grenada+1473
  • Guadeloupe+590
  • Guam+1671
  • Guatemala+502
  • Guernsey+44
  • Guinea (Guinée)+224
  • Guinea-Bissau (Guiné Bissau)+245
  • Guyana+592
  • Haiti+509
  • Honduras+504
  • Hong Kong (香港)+852
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  • Mauritania (‫موريتانيا‬‎)+222
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