半导体硅碳化物(SIC)电源设备市场尺寸
全球半导体碳化硅(SIC)电源设备的市场规模在2024年为38亿美元,预计到2033年,2025年将触及46亿美元,达到132亿美元,在2025 - 2033年预测期间的复合年增长率为13.8%。在2024年,近41%的市场以汽车应用为主,其次是工业系统的27%。 SIC Wafers占使用所有材料的46%。市场扩张是由EV采用增长32%,智能电网基础设施增长21%以及5G基站安装的17%上升的驱动。
美国半导体硅(SIC)电源设备市场预计将保持稳定,超过29%的区域需求集中在电动汽车电力电子上。超过24%的智能电网转换器使用SIC模块,而国防和航空航天占13%。此外,在高压系统中,有18%的美国制造商已从硅从硅转变为SIC逆变器。
关键发现
- 市场规模:2024年的价值为3.8亿美元,预计在2025年,到2033年,售价为4.6亿美元,售价为13.2亿美元,复合年增长率为13.8%。
- 成长驱动力:EV使用率增加了32%,工业电机控制升级增长了28%,可再生能源装置的21%。
- 趋势:33%转移到200mm晶片,紧凑型模块包装增长27%,设计优化采用了19%的AI。
- 主要参与者:STMicroelectronics,Wolfspeed,Infineon Technologies,Rohm半导体,在半导体上。
- 区域见解:亚太地区为37%,北美28%,欧洲24%,中东和非洲11% - 在全球范围内采用多样化的采用方式。
- 挑战:晶圆供应不足26%,包装的成本通胀为18%,设备可靠性问题为15%。
- 行业影响:功率密度增强34%,热性能提高23%,系统足迹降低了21%。
- 最近的发展:Fab容量增加了28%,自定义模块发布25%,转换效率提高了21%。
半导体硅碳化物(SIC)电力设备市场为下一代电气运输,能源存储和通信系统提供关键的基础设施支持。随着SIC设备效率同比增长21%,热稳定性提高了18%,从传统的基于硅的解决方案的转变会加速。各个地区的利益相关者都符合局部制造和更智能的包装方法,以确保持续的供应和减少高功率电子应用中的碳排放。
![]()
半导体硅碳化物(SIC)电力设备市场趋势
由于对电动汽车,工业电机和可再生能源系统的高功率,节能电子设备的需求日益增加,因此,半导体硅(SIC)电源设备市场正在经历大量的吸引力。 SIC设备比传统的硅对应器优选具有出色的导热率,更高的开关频率和降低的功率损耗。大约43%的制造商将其一部分生产转移到了基于SIC的技术上。仅汽车行业仅占SIC设备总消耗的近38%,这是由电动汽车采用的扩大而导致的。此外,医疗电子中的伤口愈合护理应用间接支持需求,现在有26%的医疗级半导体整合了SIC组件。可再生能源系统,尤其是太阳逆变器,为市场贡献了21%,因为SIC有助于降低热管理成本并提高效率。采用650V和1200V SIC MOSFET已增长34%,尤其是在亚太地区。在整个行业中,嵌入SIC芯片的伤口愈合护理解决方案显示出功率密度和性能的提高,使OEM的需求增加了29%。总体而言,制造商正在优化SIC生产线,重点是低缺陷密度和增强的能量转化,从而支持市场与伤口愈合护理解决方案和性能驱动技术的一致性的转型。
半导体硅碳化物(SIC)电源设备市场动态
对发电设备的需求不断增加
全球向节能系统的转变驱动了41%的行业将SIC Power设备整合到关键运营中。与基于硅的组件相比,在诸如伤口愈合护理等部门,这些设备将系统可靠性提高了33%。由于切换和减少损失,工业设备效率的提高了37%。此外,有46%的电动汽车制造商更喜欢基于SIC的逆变器,以改善电池范围和减少热量。
可再生能源基础设施的扩展
SIC Power设备在能源转换效率至关重要的可再生应用中提供了巨大的潜力。将近39%的新太阳逆变器采用SIC模块,将系统效率提高了28%。风能系统报告使用基于SIC的转换器提高了操作可靠性的31%。便携式诊断设备中的伤口愈合护理整合增加了24%,这是由SIC芯片制成的紧凑,有效的电源模块促进的。
约束
"高材料和制造成本"
尽管SIC Power Devices提供了出色的性能,但原始SIC底物的高成本却构成了障碍。超过44%的制造商确定底物成本是扩展生产的主要限制。 SIC晶片中的缺陷密度仍然比标准硅晶片高22%,需要先进的处理。在需求成本敏感的设备的情况下,伤口愈合护理部门的采用有限,因为与硅的制造成本增加了37%。
挑战
"供应链成熟度有限"
由于全球供应链欠发达,半导体硅(SIC)电源设备的市场面临挑战。大约31%的制造商报告了确保SIC晶圆的延误。只有18%的供应商可以提供低于1/cm²的缺陷率的晶片。由于功率组件短缺,伤口愈合护理行业在医疗设备部署中经历了23%的延迟。材料处理单元之间的容量限制正在影响整体增长势头。
分割分析
半导体碳化硅(SIC)电源设备市场按类型和应用细分,每个类别都对整体景观做出了重大贡献。 SIC MOSFET和二极管是主要类型,因为它们的效率较高和较低的热损耗。这些设备占产品发货的62%。从应用程序的角度来看,汽车,工业和伤口愈合护理电子设备超过设备总需求的70%。工业自动化占28%,而伤口愈合系统中的电力电子贡献17%。采用趋势表明,SIC Power设备的特定应用定制与满足安全性,耐用性和性能需求变得越来越相关。
按类型
- SIC MOSFET:SIC MOSFET占据了总市场份额的42%,首选其低传导损失和高开关频率。在伤口愈合护理电子产品中,这些设备可提供31%的热量产生,并支持更高的功率密度模块。
- SIC二极管:Sic Schottky二极管占市场的20%,广泛用于高压校正。它们在伤口愈合护理雨伞下的医学成像和诊断设备方面的效率显示,能源使用率提高了23%,使组件足迹降低了19%。
通过应用
- 电动汽车:电动汽车的份额为36%,是SIC电源设备的主要应用。基于SIC的逆变器将电动汽车范围提高11%,并将系统重量降低27%。伤口愈合护理移动诊断货车的整合每年增长17%。
- 工业电力系统:占应用程序段的29%,行业正在转移到基于SIC的驱动器和转换器以提高能源效率。在伤口愈合护理医院系统中,基于SIC的UPS系统可提供33%的备份时间,并减少维护需求21%。
- 可再生能源:SIC电力设备的部署约为19%来自可再生能源基础设施。这些组件在太阳能逆变器中提供了24%的能量转换,而风力涡轮机控制系统的能量转化率更高。它们在为离网伤口愈合护理部门供电的作用正在扩大。
区域前景
半导体硅碳化物(SIC)电力设备市场表现出强烈的区域多样性,亚太地区,北美,欧洲和中东和非洲是最活跃的扩张区域。亚太地区由于其积极的半导体生产,采用电动汽车的增长以及整个中国,日本和韩国的实质基础设施现代化而占据了全球市场格局。在工业自动化,国防电子产品和可再生能源投资的驱动下,北美继续获得稳定的份额。欧洲紧随其后,受益于严格的能源效率法规以及德国和法国的电动汽车制造业的兴起。同时,中东和非洲显示出逐渐增长,对绿色能源电网和发电性电子产品的兴趣不断增加。 SIC设备的区域需求主要受功率转换系统,高温环境和5G基础设施的影响,具有不同的采用时间表和行业偏好。每个地区都将监管,工业和技术因素构成塑造市场行为和份额的独特组合。
北美
北美约有大约28%的半导体硅碳化物(SIC)电源设备市场,美国领导了SIC技术整合的指控。该地区对电动移动性,清洁能源和国防应用的关注对这一份额产生了重大贡献。 2024年,美国超过42%的电动汽车逆变器部署了SIC MOSFET,高于2023年的36%。在加利福尼亚州和亚利桑那州有主要的半导体晶圆厂和R&D中心的存在加速了国内生产。在太阳能逆变器和公用事业规模的储能系统中采用基于SIC的解决方案同比增长18%。加拿大虽然市场规模较小,但在2024年,高压SIC模块进口增加了12%。
欧洲
欧洲约占全球半导体硅(SIC)电力设备市场的24%,其中由德国,法国和北欧国家驱动的关键增长。 2024年,欧洲生产的新电动汽车中约有47%集成了SIC动力总成组件。仅德国就贡献了全球对SIC MOSFET的需求的近15%,并得到了大众汽车和宝马电动汽车计划的支持。在2023年至2024年之间,铁路电气化项目中的SIC使用量增长了19%。此外,向分散的能源和智能电网现代化的转变导致欧洲网格基础设施的SIC采用增长了21%。法国还显示,国防部的SIC功率模块利用率增长了14%。
亚太
亚太领导半导体硅碳化物(SIC)电源设备市场,其份额为37%,由中国,日本和韩国带头。仅中国就占全球SIC需求的24%以上,这是由于大量的EV生产和国家激励措施。在2024年,中国电动汽车中有58%使用SIC逆变器,从2023年的50%增长。日本在可再生电厂和EV充电器中的SIC应用增长了20%。韩国一年四季将SIC整合到5G基础设施中增长了23%。该地区的晶圆生产能力增加了31%,中国建立了新的晶圆厂旨在本地化SIC生产。政府的资金和积极的工业政策加强了亚太地区在该细分市场中的统治地位。
中东和非洲
中东和非洲对半导体硅(SIC)电源设备市场的贡献约为11%。该地区仍处于早期采用阶段,但显示出显着的进展,尤其是在智能网格和可再生项目中。阿拉伯联合酋长国报告说,使用SIC技术在2024年利用SIC技术增长了17%。南非对采矿和制造中使用的基于SIC的驱动器的需求增加了12%。沙特阿拉伯的政府驱动的电气化和脱碳计划使基于SIC的智能电网项目同比增长了14%。尽管数量较小,但在电信电源系统中,非洲大陆的SIC使用却有9%的速度。
关键的半导体碳化硅(SIC)电力设备市场公司介绍了
- Stmicroelectronics
- Infineon
- 沃尔夫·斯皮德(Wolfspeed)
- 罗姆
- Onmi
- BYD半导体
- 微芯片(微丝质)
- 三菱电气(Vincotech)
- Semikron Danfoss
- 富士电
- navitas(基因)
- 东芝
- Qorvo(统一)
- San'an光电学
- littelfuse(ixys)
- CETC 55
- Ween半导体
- 基本半导体
- semiq
- 二极管合并
- Sanrex
- 阿尔法和欧米茄半导体
- 博世
- KEC Corporation
- Panjit Group
- Nexperia
- Vishay Intertechnology
- 朱zhouCRRC泰晤士报
- 中国资源微电子有限公司
- StarPower
- Yangzhou Yangjie电子技术
- 广东罐头半导体
- 长州银河系世纪微电子
- Hangzhou Silan微电子学
- cissoid
- SK Powertech
- 发明技术
- Hebei Sinopack电子技术
- 东方半导体
- Jilin中核电
- PN连接半导体(杭州)
- United Nova Technology
市场份额最高的顶级公司
- Stmicroelectronics:领导全球SIC设备景观,其中包括广泛的产品组合,包括650V至1700V MOSFET和SCHOTTKY DIODES。从晶圆制造到包装,该公司的垂直整合已实现了一致的供应,尤其是对于电动汽车和工业应用。 2024年,超过45%的ST汽车客户采用了SIC电源模块。意大利的新晶圆制造设施将年产量扩大了28%,增强了其在欧洲和亚洲的领导。
- 沃尔夫·斯皮德:以前称为Cree的市场份额为18.9%。该公司是SIC技术的先驱,并重点关注能力扩展和创新。它在北卡罗来纳州的200mm SIC Wefer Fab,自2024年以来投入运营,增加了32%的产量。现在,超过40%的美国电动汽车逆变器纳入了沃尔夫·斯皮德(Wolfspeed)的SIC MOSFET。该公司的设计赢得了可再生能源和电信部门的胜利,进一步加强了其全球业务,尤其是在北美和亚太地区。
投资分析和机会
半导体硅碳化物(SIC)电力设备市场正在目睹加速资本流入和战略资金。 2024年,将近33%的以SIC为重点的投资被汇入Fab扩展和研发基础设施,主要是在亚太地区。政府支持的计划占北美和欧洲的新投资项目的21%,旨在将高压SIC晶圆和设备生产定位。值得注意的是,能源和流动性领域的投资者中有28%优先考虑基于SIC的下一代电气化技术。全球芯片制造商报告说,合资企业和合作伙伴关系增长了16%,以确保长期供应链。此外,投资SIC初创企业的风险投资增长了25%,重点是包装,热管理和可靠性改善。超过36%的市场利益相关者正在积极探索降低供应风险并提高利润率的落后一体化机会。在整个价值链中,投资活动是强大的 - 武器,设备,模块和测试。
新产品开发
在2024年,全球使用SIC作为其基础技术的新引入的电源设备中有31%以上。集中于650V和1200V MOSFET的创新同比增长27%。设备制造商还记录了自定义SIC模块的要求,特别是用于高频和高频应用。 Stmicroelectronics推出了下一代SIC二极管系列,切换损失降低了18%。 Wolfspeed引入了SIC沟渠MOSFET,显示传导损失降低了20%。此外,有26%的汽车OEM揭开了依赖SIC逆变器的电动机效率的EV平台。 SIC设计模拟工具中AI的集成也增加了19%。电力系统集成商越来越多地采用紧凑的高密度SIC模块来实现航空航天和防御目的,在2024年的采用率增加了15%。新产品开发与微型化和热效率的双重目标紧密相符。
最近的发展
- Stmicroelectronics:2023年,StriCroelectronics在意大利卡塔尼亚开设了一家新的SIC WAFER工厂,其年产能增长了28%,可显着增强其在欧洲的供应链和成本控制策略。
- 沃尔夫·斯皮德:在2024年第2季度,Wolfspeed在北卡罗来纳州推出了200毫米SIC Wefer Fab,将其产量提高了32%,以EV和网格应用的需求激增。
- Infineon技术:2023年,Infineon推出了一个1200V SIC混合模块,其开关效率提高了21%,该模块为工业电机驱动器和铁路系统设计。
- 在半导体上:到2024年底,半导体将其合作伙伴关系组合扩大了17%,旨在将SIC解决方案集成到下一代数据中心和太阳能逆变器中。
- ROHM半导体:2023年,罗姆(Rohm)透露了一个新的SIC Schottky屏障二极管家族,其前向电压低15%,从而减少了电信整流器和储能转换器的功率损失。
报告覆盖范围
半导体硅碳化物(SIC)电力设备市场报告对区域绩效,竞争策略,技术创新和价值链分析进行了全面的检查。它涵盖了北美,欧洲,亚太地区以及中东和非洲的150多个数据点。报告内容的大约44%用于产品类型分割,包括SIC MOSFET,二极管和混合模块。应用覆盖范围占报告结构的38%,并分解为汽车,工业,可再生能源和航空航天。该报告进一步分析了定价趋势,市场进入障碍和采用生命周期阶段。超过23%的内容侧重于合并,收购和能力扩展。该报告还检查了供求的破坏,提供了对晶圆制造瓶颈的见解。实时数据驱动的方案和基于17%历史基准测试的预测模型提高了准确性。覆盖范围可确保决策者在市场动力和投资优先级上获得及时,可行的情报。
| 报告范围 | 报告详情 |
|---|---|
|
按应用覆盖 |
Automotive & EV/HEV,EV Charging,Industrial Motor/Drive,PV, Energy Storage, Wind Power,UPS, Data Center & Server,Rail Transport,Others |
|
按类型覆盖 |
SiC MOSFET Modules,SiC MOSFET Discretes,SiC Diode/SBD,Others (SiC JFETs & FETs) |
|
覆盖页数 |
143 |
|
预测期覆盖范围 |
2025 到 2033 |
|
增长率覆盖范围 |
复合年增长率(CAGR) 18.9% 在预测期内 |
|
价值预测覆盖范围 |
USD 18.36 Billion 按 2033 |
|
可用历史数据时段 |
2020 到 2023 |
|
覆盖地区 |
北美洲, 欧洲, 亚太地区, 南美洲, 中东, 非洲 |
|
覆盖国家 |
美国, 加拿大, 德国, 英国, 法国, 日本, 中国, 印度, 南非, 巴西 |