砷化镓器件市场规模
2025年全球GaAs器件市场估值为148亿美元,预计2026年将达到160.3亿美元,2027年进一步扩大至173.6亿美元。在2026年至2035年的预测期内,预计该市场将强劲增长,到2035年将达到328.2亿美元,复合年增长率为8.29%。通信、国防和航空航天应用对高频、高速和高效半导体元件的需求不断增长,推动了市场增长。 GaAs 器件在智能手机射频前端模块、卫星通信、雷达系统和下一代无线基础设施中的广泛采用将继续增强全球市场渗透率和长期增长前景。
在美国,由于 5G 基础设施和国防电子设备的部署不断增加,砷化镓器件正在加速增长。国内砷化镓器件需求的约 39% 来自移动网络,24% 来自军事和航空航天系统。向节能和高速电子元件的快速转变正在进一步推动美国制造商和原始设备制造商使用砷化镓器件。
主要发现
- 市场规模:2025 年价值为 148 亿美元,预计 2026 年将达到 160.3 亿美元,到 2035 年将达到 328.2 亿美元,复合年增长率为 8.29%。
- 增长动力:超过 48% 的需求增长来自移动通信,35% 的需求增长来自高频平台的国防电子集成。
- 趋势:57% 的 GaAs 器件部署在 5G RF 前端,26% 部署在卫星系统中,推动了单片微波 IC 的采用。
- 关键人物:Skyworks、Qorvo、Broadcom、WIN Semi、Murata 等。
- 区域见解:亚太地区占据主导地位,占 41% 的份额,其次是北美,占 29%,欧洲占 19%,其他地区占 11%。
- 挑战:44% 的制造商面临原材料依赖,而 33% 的制造商则因制造复杂性而苦苦挣扎。
- 行业影响:62% 的影响是由 5G 的快速推出推动的,38% 的影响是由雷达和传感技术的进步推动的。
- 最新进展:21% 的产品发布集中在 GaN-on-GaAs 混合器件上,18% 的产品集中在毫米波支持增强上。
GaAs 器件市场因其卓越的热稳定性和高电子迁移率而处于独特的地位,这使其对于下一代射频、微波和光电应用至关重要。大约 73% 的 GaAs 器件用于 6GHz 以上的频率,在高带宽平台中提供强大的性能。紧凑、轻量化以及与 SiP 封装的集成使 GaAs 器件在关键电子设计中比硅替代品具有 27% 的竞争优势。
砷化镓器件市场趋势
GaAs 器件的采用率正在大幅上升,超过 57% 的市场份额来自 5G 和下一代通信中使用的高频射频元件。与微波频率下的传统硅器件相比,这些器件的能效提高了 63%,有助于它们在小型蜂窝基站中的不断部署。在小型化和改进的信号线性度的推动下,大约 46% 的手机采用了基于 GaAs 的功率放大器。
在光电应用中,砷化镓器件占光子器件总量的近 28%,特别是在高速光纤链路中。国防和航空航天领域继续需要高可靠性组件,其中 GaAs 器件满足近 24% 的先进雷达和干扰系统的性能标准。制造商专注于晶圆级集成和混合 GaAs-GaN 结构,这两种结构合计占顶级公司研发工作的 17%。
随着自主系统和人工智能驱动电子产品的普及,GaAs 设备的嵌入式 RF 使用量增长了 22%。市场动态还显示,用于卫星地面终端和地球观测系统的砷化镓器件模块增长了 33%。尺寸减小、热可靠性和高速功能的结合使 GaAs 器件成为现代高频生态系统的核心。
砷化镓器件市场动态
国防电子扩展
大约 35% 的 GaAs 器件部署在国防领域的高频雷达、监视和通信系统中。新兴经济体不断增加的国防预算和电子战系统的日益普及使这一领域的机会每年增加近 29%,为制造商开辟了新的采购和设计途径。
5G 部署和射频效率
现在超过 48% 的移动射频前端依赖 GaAs 器件,其卓越的线性度和功率增益使其对于电信基础设施扩展至关重要。 5G网络的推出带动了砷化镓功率放大器和开关的需求同比增长42%,凸显了市场对通信趋势的敏感度。
限制
"生产成本高"
GaAs 器件生态系统中超过 33% 的公司表示,与 CMOS 同行相比,由于制造复杂、晶圆价格高以及规模经济低,成本竞争力面临挑战。这些因素限制了价格敏感市场的大规模采用,并导致中端电子应用的渗透率降低了 27%。
挑战
"供应链瓶颈"
供应链中断占 GaAs 器件制造延误的近 31%,尤其是高纯度 GaAs 晶圆和关键蚀刻化学品。此外,22% 的中小型生产商表示依赖国际供应商提供制造工具,这给时间敏感的生产计划造成了瓶颈。
细分分析
GaAs 器件市场按类型和应用细分。每个细分市场都表现出不同的使用模式,并对总市场量做出贡献。砷化镓器件总数中约 41% 用于移动功率放大器,另外 25% 用于国防级系统。这种细分分析有助于了解商业、汽车和航空航天领域的技术部署趋势,并支持针对特定目标的解决方案和产品创新的战略开发。
按类型
- 功率放大器:在无线移动基础设施和智能手机需求的推动下,这些器件占 GaAs 设备使用量的 41%。
- 射频开关:RF 开关占市场需求的 19%,是多频段和多模式通信设备中不可或缺的一部分。
- 过滤器:这些基于 GaAs 的滤波器占据约 13% 的份额,在高频信号环境中提供卓越的选择性。
- 低噪声放大器:LNA 占应用的 17%,在卫星、航空航天和物联网模块中至关重要。
- 其他的:覆盖 10% 的份额,包括用于利基工业和军事系统的二极管和集成电路。
按申请
- 无线通讯:在电信基础设施和移动手机集成的推动下,占据 49% 的市场份额。
- 移动设备:占 23%,其中天线调谐、PA 模块和信号路由芯片中的 GaAs 含量较高。
- 汽车电子:占 12%,用于雷达传感器、自适应巡航控制和车载连接模块。
- 军队:在电子战、加密通信和无人机系统中占有 11% 的份额。
- 其他的:其中 5% 用于工业传感器、计量和航天级发射器。
区域展望
北美
北美占 GaAs 器件市场份额的 29%,这主要是由不断扩大的 5G 基础设施和强大的国防电子行业推动的。仅美国就贡献了超过 85% 的地区需求,特别是射频模块和基于雷达的通信系统。航空航天技术支出的增加也提高了关键通信硬件中砷化镓的集成度。
欧洲
欧洲占砷化镓器件市场总量的 19%,主要需求来自德国、英国和法国。欧洲近 40% 的消费与汽车雷达系统相关,而 32% 来自移动通信硬件。基于砷化镓的技术越来越多地被纳入该地区的智能电网和工业物联网模块中。
亚太
在中国、韩国和台湾大量电子产品生产的推动下,亚太地区以 41% 的份额主导 GaAs 器件市场。大约 52% 的区域使用量与智能手机和移动基础设施有关,另外 26% 来自 LED 和光电子产品。政府的战略举措和不断增加的出口正在进一步推动砷化镓应用的增长。
中东和非洲
在国防和安全技术日益普及的推动下,中东和非洲在 GaAs 器件领域占据 11% 的市场份额。大约 44% 的区域 GaAs 需求来自电信基础设施扩建,而 30% 用于卫星通信和监控系统。阿联酋和沙特阿拉伯的工业现代化努力正在促进需求的增长。
GaAs 器件市场主要公司简介
- 思佳讯
- 科尔沃
- 博通
- 稳胜半导体
- 住友电工
- 村田
- 模拟器件公司
- M/A-COM
- 三菱电机
斯凯沃斯:占有 18% 的市场份额,在移动设备和无线基础设施的射频前端模块领域处于领先地位。
科尔沃:凭借5G基站和航空航天GaAs器件模块的强劲需求,占据15%的份额。
投资分析与机会
全球对砷化镓器件的投资正在稳步增长,其中超过 34% 分配给与高频通信相关的基础设施。目前超过 23% 的投资用于扩大晶圆制造和化合物半导体代工厂。公司正在利用这些投资来创建专为物联网和汽车雷达量身定制的紧凑且节能的基于砷化镓的模块。
目前,半导体创新领域约 26% 的风险投资支持的资金包括 GaAs 集成项目。由于靠近原材料和合同制造商,亚洲新兴企业吸引了全球 41% 的 GaAs 投资池。并购占战略增长途径的 11%,这些公司的目标是 GaAs 增强型 IC 产品组合。这些投资对于扩大砷化镓器件生产规模以及满足下一代国防和 5G 要求至关重要。
新产品开发
超过 22% 的 GaAs 器件制造商正在开发与高性能 GaAs IC 集成的双频和三频 RF 模块。这些创新预计将取代小型蜂窝基础设施和毫米波基站中传统的硅基组件。近31%的新产品集中在提高灵敏度和降低能耗的光电模块上。
领先厂商正在为汽车 LiDAR 和雷达系统推出具有更高热弹性的基于 GaAs 的解决方案。约 18% 的新产品包括 GaN-on-GaAs 混合器件,将高输出与高效噪声抑制相结合。此外,14% 的开发产品包括专为高频卫星通信有效载荷定制的低噪声 GaAs 放大器。这些进步正在为跨应用的节能和紧凑型砷化镓设计制定路线图。
最新动态
- 斯凯沃斯:推出基于 GaAs 的新 Wi-Fi 7 模块系列,到 2023 年将能源效率提高 28%,并将芯片面积减少 19%。
- 科尔沃:通过对毫米波和 5G FR2 应用的宽带支持扩展了 GaAs 功率放大器产品线,预计 2024 年需求将增长 24%。
- 博通:发布了用于雷达和回程链路的混合 GaAs/GaN 收发器芯片组,目标是提高 21% 的效率并缩小 15% 的尺寸。
- 村田:于 2023 年推出适用于物联网网关的紧凑型 GaAs 射频前端解决方案,热输出降低 33%,信号增强 17%。
- 赢半:升级6英寸砷化镓晶圆工艺节点,支持高密度PA模块,2024年良率提升13%。
报告范围
这份砷化镓器件市场报告提供了多维度的全面分析,涵盖了高频和光电平台当前技术部署的 78% 以上。该研究涵盖使用 GaAs 技术的 5G 基础设施、航空航天、雷达、LED 和汽车领域。超过 36% 的报告重点关注功率放大器和射频开关,其中 GaAs 器件在使用中占主导地位。
此外,该报告还介绍了超过 25 家制造商,按产量计算,它们占市场容量的 82%。它强调了 GaAs-GaN 混合开发(占管道的 18%)和光电 GaAs 应用的增长(占 27%)等趋势。该报告通过 92 个图表,提供了基于 420 多个跨行业经过验证的数据集的技术见解、区域需求前景和增长预测。
| 报告范围 | 报告详情 |
|---|---|
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按应用覆盖 |
Wireless Communication, Mobile Devices, Vehicle Electronics, Military, Others |
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按类型覆盖 |
Power Amplifiers, RF Switches, Filters, Low Noise Amplifiers, Others |
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覆盖页数 |
108 |
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预测期覆盖范围 |
2026 to 2035 |
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增长率覆盖范围 |
复合年增长率(CAGR) 6.8% 在预测期内 |
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价值预测覆盖范围 |
USD 32.82 Billion 按 2035 |
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可用历史数据时段 |
2021 到 2024 |
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覆盖地区 |
北美洲, 欧洲, 亚太地区, 南美洲, 中东, 非洲 |
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覆盖国家 |
美国, 加拿大, 德国, 英国, 法国, 日本, 中国, 印度, 南非, 巴西 |