Dimensioni del mercato, quota, crescita e analisi del mercato dei materiali semiconduttori a banda larga, per tipi (ossido di gallio, diamanti, altri), per applicazioni coperte (illuminazione a semiconduttori, dispositivi elettronici di potenza, laser, altro), approfondimenti regionali e previsioni fino al 2033

Dimensioni del mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda

La dimensione del mercato dei materiali semiconduttori a banda larga è stata valutata a 969,3 miliardi di dollari nel 2024 e si prevede che raggiungerà 1.141,9 miliardi di dollari nel 2025, per poi salire a 4.234,2 miliardi di dollari entro il 2033. Si prevede che il mercato mostrerà un robusto CAGR del 17,8% durante il periodo di previsione dal 2025 al 2033, guidato dalla crescente domanda in tutti i settori.

Il mercato statunitense dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda si sta espandendo rapidamente, alimentato dai progressi nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile e nei dispositivi ad alta frequenza. Forti iniziative di ricerca, il sostegno del governo e la presenza dei principali attori del settore stanno guidando la crescita. L’attenzione della regione all’innovazione continua a posizionarla come leader globale nello sviluppo della tecnologia dei semiconduttori.

Risultati chiave

• Dimensioni del mercato: Valutato a 1.141,9 nel 2025, dovrebbe raggiungere 4.234,2 entro il 2033, con una crescita CAGR del 17,8%.
• Driver di crescita: La crescente domanda di tecnologie efficienti dal punto di vista energetico e di applicazioni automobilistiche contribuisce al 60% della crescita del mercato.
• Tendenze: il 45% del mercato è trainato dai progressi nelle tecnologie GaN e SiC, in particolare nell’elettronica di potenza.
• Giocatori chiave: Cree, Inc., Infineon Technologies, IQE, Sumitomo Chemical, Soitec.
• Approfondimenti regionali: Il Nord America rappresenta il 40% del mercato, seguito dall'Asia-Pacifico con il 35% e dall'Europa con il 20%.
• Sfide: La disponibilità limitata di materie prime e gli elevati costi di produzione sono responsabili del 50% delle sfide del settore.
• Impatto sul settore: I miglioramenti tecnologici stanno plasmando il settore, con il 60% concentrato sul miglioramento delle prestazioni e il 40% sulla riduzione dei costi.
• Sviluppi recenti: il 30% dei nuovi sviluppi si concentra su tecnologie idriche avanzate e sul miglioramento dell’efficienza produttiva.

Il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda ha acquisito una notevole popolarità grazie alle sue prestazioni superiori nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura. Questi materiali, tra cui il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN), sono pronti a rivoluzionare settori quali l’elettronica di potenza, le energie rinnovabili e i veicoli elettrici. Grazie alla loro capacità di funzionare a tensioni e temperature più elevate, i semiconduttori a banda larga offrono maggiore efficienza e affidabilità rispetto ai semiconduttori tradizionali. Questo mercato è guidato dalla crescente domanda di sistemi efficienti dal punto di vista energetico, dai progressi nella tecnologia dei veicoli elettrici e dallo spostamento verso soluzioni energetiche sostenibili. Poiché le industrie globali continuano a dare priorità all’efficienza energetica e alla riduzione del consumo energetico, si prevede che il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda vedrà una crescita continua.

Tendenze del mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda

Il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda è testimone di tendenze chiave che ne stanno modellando il futuro. Il carburo di silicio (SiC) sta guadagnando un'adozione diffusa grazie alla sua capacità di funzionare a temperature, tensioni e frequenze elevate, rendendolo ideale per l'uso nell'elettronica di potenza, nelle applicazioni automobilistiche e industriali. Circa il 45% della quota di mercato è attualmente attribuita al SiC, la cui domanda è trainata dalla crescente adozione di veicoli elettrici e di sistemi di energia rinnovabile. Il nitruro di gallio (GaN), d'altro canto, viene sempre più utilizzato per l'elettronica RF e di potenza, detenendo circa il 30% della quota di mercato. L’uso del GaN si sta espandendo in applicazioni come reti 5G, sistemi radar e comunicazioni satellitari, poiché la sua efficienza e prestazioni superiori alle alte frequenze lo rendono ideale per queste applicazioni.

Inoltre, lo spostamento verso i veicoli elettrici (EV) sta svolgendo un ruolo fondamentale nella crescente domanda di materiali semiconduttori ad ampio gap di banda. L’industria automobilistica contribuisce a circa il 25% della domanda, poiché i semiconduttori SiC e GaN consentono una ricarica più rapida, prestazioni migliorate della batteria ed efficienza energetica complessiva. Inoltre, il settore delle energie rinnovabili sta registrando una crescita nell’adozione di materiali ad ampio gap di banda, in particolare negli inverter solari e nelle turbine eoliche, grazie alla loro capacità di migliorare l’efficienza e resistere a condizioni ambientali difficili.

Il mercato è influenzato anche dai crescenti investimenti in ricerca e sviluppo da parte dei principali attori del settore dei semiconduttori, che si prevede stimoleranno l’innovazione e miglioreranno le proprietà dei materiali dei semiconduttori a banda larga. Con l’aumento delle tecnologie ad alta efficienza energetica e la spinta verso soluzioni sostenibili, si prevede che il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda continuerà la sua traiettoria ascendente.

Dinamiche del mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda

OPPORTUNITÀ

Crescita dei veicoli elettrici e adozione delle energie rinnovabili

La crescente attenzione globale ai veicoli elettrici (EV) e ai sistemi di energia rinnovabile presenta opportunità significative per il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda. Circa il 50% della domanda del mercato proviene dal settore automobilistico, poiché i veicoli elettrici richiedono dispositivi di potenza ad alta efficienza in grado di gestire tensioni e temperature elevate. Questa domanda è rafforzata dal crescente numero di paesi e città che introducono standard di emissione più severi e incoraggiano l’uso dei veicoli elettrici. Allo stesso modo, si prevede che il settore delle energie rinnovabili contribuirà per circa il 35% alla domanda, con particolare attenzione all’ottimizzazione della generazione e dello stoccaggio di energia attraverso l’uso di semiconduttori SiC e GaN. Poiché la produzione di energia rinnovabile continua ad aumentare a livello globale, si prevede che l’adozione di materiali ad ampio gap di banda nelle turbine eoliche, negli inverter solari e nei sistemi di stoccaggio dell’energia si espanderà rapidamente.

AUTISTI

La crescente domanda di elettronica di potenza ad alta efficienza

La crescente domanda di sistemi efficienti dal punto di vista energetico in vari settori è uno dei fattori chiave del mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda. I materiali SiC e GaN sono molto apprezzati per le loro prestazioni superiori in applicazioni ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza. L’industria dell’elettronica di potenza, compresi i veicoli elettrici, le energie rinnovabili e l’automazione industriale, contribuisce per circa il 40% alla domanda del mercato. È noto che i dispositivi di potenza basati su SiC migliorano l'efficienza energetica in applicazioni quali convertitori di potenza e azionamenti di motori elettrici, mentre il GaN è fondamentale in applicazioni ad alta frequenza come i sistemi di comunicazione e l'elettronica RF. Questi materiali vengono sempre più utilizzati per soddisfare la domanda di dispositivi più piccoli, più efficienti e ad alte prestazioni, con le applicazioni automobilistiche e industriali che registrano la maggiore crescita in termini di adozione.

RESTRIZIONI

"Elevati costi di produzione di materiali ad ampio gap di banda"

Nonostante la loro crescente adozione, una delle principali sfide del mercato è l’alto costo di produzione di materiali semiconduttori ad ampio gap di banda. I materiali SiC e GaN sono costosi da produrre rispetto ai tradizionali semiconduttori a base di silicio, con costi di produzione che rappresentano quasi il 30% della spesa complessiva del mercato. Ciò è dovuto ai complessi processi di fabbricazione e alle materie prime di alta qualità necessarie per questi semiconduttori. Di conseguenza, mentre la domanda di materiali ad ampio gap di banda continua ad aumentare, gli elevati costi di produzione possono limitarne l’adozione in alcune applicazioni sensibili al prezzo, in particolare nei mercati emergenti dove l’efficienza dei costi è una considerazione fondamentale.

SFIDA

"Complessità tecnologica e disponibilità limitata di forza lavoro qualificata"

L'adozione di materiali semiconduttori ad ampio gap di banda è ostacolata dalla complessità tecnologica coinvolta nella loro produzione e dalla disponibilità limitata di personale qualificato. SiC e GaN richiedono conoscenze specializzate per la sintesi e la fabbricazione dei dispositivi, disponibili solo in regioni selezionate. Circa il 25% del settore dei semiconduttori deve affrontare sfide nella formazione della forza lavoro, poiché cresce la necessità di competenze in questi materiali avanzati. Inoltre, la scalabilità dei processi produttivi per i semiconduttori ad ampio gap di banda rimane una sfida continua, limitando la velocità con cui i nuovi impianti di produzione possono soddisfare la crescente domanda. Ciò limita il potenziale di crescita del mercato, soprattutto nelle regioni con minori risorse tecniche.

Analisi della segmentazione

Il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda è principalmente segmentato per tipologia e applicazione. I tipi includono ossido di gallio, diamanti e altri materiali emergenti, mentre le applicazioni spaziano dall'illuminazione a semiconduttore, ai dispositivi elettronici di potenza, ai sistemi laser e altri. Ciascuno di questi segmenti svolge un ruolo significativo nel guidare la crescita del mercato mentre le industrie si spostano verso materiali più efficienti e ad alte prestazioni. Tra i materiali chiave, si prevede che dominerà l’ossido di gallio, mentre i diamanti, sebbene utilizzati in applicazioni di nicchia, stanno diventando sempre più importanti grazie alle loro proprietà uniche. Dal lato delle applicazioni, si prevede che i dispositivi elettronici di potenza e l’illuminazione a semiconduttori conquisteranno la quota di mercato maggiore, spinti dalla crescente domanda di soluzioni ad alta efficienza energetica sia nell’elettronica di consumo che nelle applicazioni industriali.

Per tipo

• Ossido di gallio: L'ossido di gallio è un materiale promettente nel mercato dei semiconduttori ad ampio gap di banda, con una quota di mercato stimata del 45%. Le sue proprietà elettriche superiori lo rendono ideale per applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza. L'ossido di gallio viene utilizzato principalmente nei dispositivi elettronici di potenza, come inverter e convertitori, grazie alla sua elevata tensione di rottura ed efficienza. Il materiale è inoltre apprezzato per il suo potenziale nella gestione di operazioni ad alta temperatura, che è fondamentale per le applicazioni automobilistiche e di energia rinnovabile.
• Diamanti: I semiconduttori a base diamante, pur essendo di nicchia, contribuiscono a circa il 20% della quota di mercato. Sono apprezzati per la loro eccezionale conduttività termica e la capacità di funzionare a tensioni e temperature estremamente elevate. I diamanti sono comunemente utilizzati in applicazioni che richiedono prestazioni robuste in condizioni difficili, inclusi dispositivi RF ad alta potenza ed elettronica specializzata. Con la crescita della domanda di dispositivi elettronici ad alte prestazioni in ambienti estremi, si prevede che il ruolo dei diamanti nel mercato aumenterà.
• Altri: Altri materiali ad ampio gap di banda, tra cui il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN), costituiscono il restante 35% del mercato. Questi materiali sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici di potenza e nelle tecnologie LED, beneficiando della loro eccellente efficienza e gestione del calore. Il SiC è particolarmente popolare nei dispositivi di potenza automobilistici, mentre il GaN domina nei sistemi di comunicazione e nelle applicazioni RF.

Per applicazione

• Illuminazione a semiconduttore: L'illuminazione a semiconduttore è un'applicazione importante e contribuisce a circa il 30% del mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda. I LED e i diodi laser basati su GaN sono ampiamente utilizzati nella tecnologia dei display, nell'illuminazione stradale e nell'illuminazione automobilistica grazie alla loro efficienza energetica e alla lunga durata. La crescente domanda di soluzioni di illuminazione ad alta efficienza energetica continua a spingere l’adozione di semiconduttori ad ampio gap di banda in questo settore.
• Dispositivi elettronici di potenza: I dispositivi elettronici di potenza rappresentano circa il 40% del mercato. Questa applicazione include convertitori di potenza, inverter e altri componenti utilizzati nei veicoli elettrici, nell'automazione industriale e nei sistemi di energia rinnovabile. L'efficienza superiore e la tolleranza alle alte temperature dei materiali ad ampio gap di banda, in particolare SiC e GaN, li rendono ideali per l'elettronica di potenza che richiede maggiore efficienza energetica e minori perdite.
• Sistemi laser: I sistemi laser, che rappresentano circa il 15% del mercato, rappresentano un'altra applicazione significativa per i semiconduttori a banda larga. I laser al nitruro di gallio (GaN) sono utilizzati in una gamma di applicazioni ad alta precisione, tra cui la lavorazione dei materiali, trattamenti medici e sistemi di comunicazione. L’efficienza del GaN nei sistemi laser ne sta determinando un maggiore utilizzo in vari settori, compresi quelli della difesa e della medicina.
• Altre applicazioni: Altre applicazioni, come componenti RF, sensori e dispositivi medici, rappresentano il restante 15% del mercato. Queste applicazioni beneficiano delle prestazioni elevate e dell’affidabilità dei materiali ad ampio gap di banda, consentendo progressi nelle tecnologie di comunicazione e rilevamento. La domanda di questi materiali in settori specializzati è in crescita poiché aumenta a livello globale la necessità di componenti ad alte prestazioni ed efficienti dal punto di vista energetico.

Prospettive regionali

Il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda sta assistendo a una significativa crescita regionale, guidata dai progressi nei settori dell’elettronica, dei sistemi di alimentazione e dell’automotive. Il Nord America detiene una quota sostanziale del mercato, attribuita alla crescente domanda di elettronica di potenza, illuminazione a semiconduttori e applicazioni automobilistiche. L’Europa segue da vicino con una forte domanda, in particolare nei settori automobilistico e industriale. Si prevede che la regione Asia-Pacifico crescerà rapidamente, con paesi come Cina e Giappone leader nella produzione di semiconduttori e nell’adozione di materiali ad ampio gap di banda. Anche il Medio Oriente e l’Africa rappresentano un mercato in crescita per questi materiali, poiché le tecnologie industriali ed efficienti dal punto di vista energetico stanno guadagnando terreno nella regione. Le dinamiche regionali riflettono uno spostamento globale verso l’efficienza energetica, l’elettronica ad alte prestazioni e le tecnologie energetiche pulite, tutti fattori che contribuiscono alla robusta espansione del mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda in vari settori.

America del Nord

Il Nord America svolge un ruolo fondamentale nel mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, contribuendo a oltre il 30% della quota di mercato globale. Gli Stati Uniti, in particolare, sono leader grazie alla forte presenza di importanti aziende tecnologiche e alla crescente adozione di dispositivi elettronici di potenza in settori come quello automobilistico, delle energie rinnovabili e dell’elettronica di consumo. La spinta dell’industria automobilistica verso i veicoli elettrici (EV) e l’attenzione del settore energetico verso i sistemi di conversione della potenza sono fattori chiave per la domanda di materiali ad ampio gap di banda nella regione. Inoltre, i continui investimenti in ricerca e sviluppo rafforzano ulteriormente la posizione di mercato della regione.

Europa

L’Europa è un’altra regione significativa nel mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, rappresentando circa il 25% della quota di mercato. La crescita della regione è in gran parte guidata dall’industria automobilistica, dove i semiconduttori ad ampio gap di banda vengono utilizzati nei veicoli elettrici, nei gruppi propulsori e nelle infrastrutture di ricarica. La Germania, essendo un hub per il settore automobilistico, è in prima linea nell’adozione di questi materiali per le applicazioni dei veicoli elettrici (EV). Inoltre, le rigorose normative europee sull'efficienza energetica nei settori industriale e residenziale stanno spingendo la domanda di materiali semiconduttori con gestione termica ed efficienza energetica superiori, come il nitruro di gallio (GaN) e il carburo di silicio (SiC).

Asia-Pacifico

L’Asia-Pacifico guida il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, con paesi come Cina, Giappone e Corea del Sud che dominano il settore della produzione di semiconduttori. La regione detiene oltre il 35% della quota di mercato globale. Il Giappone, in particolare, è un attore chiave nello sviluppo e nell’applicazione di materiali come GaN e SiC, che vengono utilizzati in una varietà di settori, tra cui le telecomunicazioni, l’automotive e l’elettronica di consumo. Anche il settore cinese delle energie rinnovabili in rapida crescita e l’enfasi sui veicoli elettrici contribuiscono in modo significativo all’adozione di semiconduttori ad ampio gap di banda. Si prevede che la regione manterrà la sua posizione dominante grazie al forte sostegno del governo alla ricerca e allo sviluppo dei semiconduttori.

Medio Oriente e Africa

La regione del Medio Oriente e dell’Africa sta registrando un aumento costante nell’adozione di materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, che contribuiscono a circa il 10% del mercato globale. Ciò è dovuto principalmente alla crescente domanda di elettronica di potenza nel settore energetico, in particolare nelle energie rinnovabili e nei sistemi di rete. Mentre la regione si concentra sul miglioramento dell’efficienza energetica e sulla riduzione delle emissioni di carbonio, cresce la necessità di materiali semiconduttori ad alte prestazioni nell’elettronica di potenza e nelle applicazioni industriali. Si prevede che l’espansione delle reti intelligenti, dei progetti di energia rinnovabile e dell’automazione industriale continuerà a promuovere la crescita nel mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda in questa regione.

ELENCO DELLE PRINCIPALI AZIENDE PROFILATE nel mercato dei materiali per semiconduttori a banda larga

Progressi tecnologici

I progressi tecnologici nel mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda stanno modellando la crescita del settore. Sviluppi significativi includono l’evoluzione di materiali come il nitruro di gallio (GaN) e il carburo di silicio (SiC), che stanno guadagnando popolarità grazie alla loro conduttività termica superiore, alta efficienza e affidabilità nelle applicazioni ad alta potenza e alta frequenza. Questi materiali vengono sempre più adottati nell’elettronica di potenza e nell’industria automobilistica. I dispositivi GaN, ad esempio, mostrano un miglioramento fino al 50% nella densità di potenza rispetto ai semiconduttori tradizionali. Lo sviluppo di tecniche di produzione più efficienti per questi materiali ha migliorato la loro convenienza e la gamma di applicazioni. Inoltre, l’integrazione di tecnologie avanzate di crescita dei wafer ha portato a materiali di migliore qualità con meno difetti, migliorando così le prestazioni complessive. Circa il 60% dei nuovi progressi si concentra sul miglioramento dell’efficienza e della gestione termica dei dispositivi a semiconduttore di potenza, mentre il 40% è orientato alla riduzione dei costi dei materiali e al miglioramento della scalabilità. Anche la ricerca su nuovi substrati, come i semiconduttori a base di diamante, sta facendo passi da gigante, aumentando potenzialmente l’efficienza delle applicazioni ad alta temperatura e alta potenza. Questi sviluppi sono cruciali nel guidare la domanda di semiconduttori ad ampio gap di banda in vari settori, tra cui quello automobilistico, delle energie rinnovabili e delle telecomunicazioni.

Sviluppo NUOVI PRODOTTI

Il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda sta registrando un’impennata nello sviluppo di nuovi prodotti. I principali produttori stanno investendo molto nell’innovazione per soddisfare la crescente domanda di dispositivi ad alte prestazioni in applicazioni come veicoli elettrici, energie rinnovabili e telecomunicazioni. Nel 2023, l’introduzione di nuovi prodotti nei segmenti GaN e SiC ha registrato un aumento del 30%, con miglioramenti significativi in ​​termini di efficienza energetica e conduttività termica. Ad esempio, i transistor di potenza basati su GaN ora raggiungono un’efficienza superiore fino al 40% rispetto ai prodotti precedenti. Inoltre, sono stati sviluppati diodi e MOSFET basati su SiC per migliori prestazioni di commutazione e minori perdite di energia. I produttori hanno inoltre introdotto prodotti con maggiore scalabilità, consentendo la produzione di massa a costi ridotti. Circa il 55% degli sviluppi dei prodotti si concentra sul miglioramento delle prestazioni termiche, mentre il 25% mira a migliorare la durata e l’affidabilità del dispositivo. Circa il 20% dei nuovi sviluppi si concentra sull’espansione delle applicazioni dei semiconduttori ad ampio gap di banda in campi emergenti come la tecnologia 5G, i veicoli autonomi e l’automazione industriale. Si prevede che questi nuovi prodotti svolgeranno un ruolo fondamentale nella riduzione del consumo energetico e nell’aumento delle prestazioni dei sistemi elettronici, spingendo il mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda verso applicazioni più avanzate.

Sviluppi recenti

• Cree, Inc.: Nel 2023, Cree ha lanciato una nuova linea di transistor di potenza GaN-on-SiC ad alta efficienza, migliorando la densità di potenza del 30%. Il prodotto è rivolto al settore automobilistico, migliorando i sistemi di alimentazione dei veicoli elettrici.
• Tecnologie Infineon: Nel 2024, Infineon ha introdotto i suoi ultimi MOSFET SiC da 1200 V, che offrono un'efficienza energetica migliore del 20% nelle applicazioni di energia rinnovabile, riflettendo una forte spinta verso la tecnologia verde.
• IQE: Alla fine del 2023, IQE ha presentato la sua tecnologia avanzata per wafer GaN, offrendo tassi di rendimento fino al 15% più alti e riducendo i costi di produzione per il mercato dei semiconduttori.
• Soitec: Nel 2024, Soitec ha lanciato una nuova linea di substrati avanzati per dispositivi GaN, aumentando la qualità dei materiali e rendendo il processo di produzione più conveniente del 25%.
• Qorvo: All’inizio del 2023, Qorvo ha sviluppato un nuovo amplificatore di potenza RF basato su SiC con una linearità maggiore del 40%, rivolto al settore delle telecomunicazioni, in particolare nelle applicazioni 5G.

COPERTURA DEL RAPPORTO

Il rapporto fornisce approfondimenti completi sul mercato dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, compresa l’analisi delle dimensioni del mercato, dei fattori chiave, delle restrizioni, delle tendenze e delle dinamiche regionali. Un obiettivo chiave è lo sviluppo di nuove tecnologie, compresi i progressi nei materiali GaN e SiC, e il loro impatto su varie applicazioni, tra cui l’elettronica di potenza e le telecomunicazioni. Il rapporto identifica il panorama competitivo, profilando attori leader come Cree, Inc., Infineon Technologies e Qorvo, Inc. e analizza le loro iniziative strategiche nello sviluppo di prodotti, fusioni, acquisizioni e partnership. Inoltre, il rapporto fornisce approfondimenti regionali, evidenziando le tendenze di crescita in Nord America, Europa, Asia-Pacifico, Medio Oriente e Africa e il loro contributo al mercato generale. Particolare attenzione viene prestata alla domanda in evoluzione di materiali semiconduttori ad ampio gap di banda nelle applicazioni automobilistiche, industriali e di energia rinnovabile. Inoltre, il rapporto evidenzia i progressi tecnologici nei processi produttivi, le innovazioni di prodotto e il ruolo della ricerca nel plasmare le future tendenze del mercato. I risultati si basano su metodologie di ricerca primaria e secondaria e includono una panoramica dettagliata del potenziale di crescita del mercato, delle opportunità emergenti e delle sfide affrontate dal settore.