Marktgröße, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (Sic), nach Typen (SIC-Leistungshalbleiter, SIC-Leistungshalbleitergeräte, SIC-Leistungsdiodenknoten), Anwendungen (Automobilindustrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Computer, Unterhaltungselektronik, Industrie, Gesundheitswesen, Energiesektor, Solar) sowie regionale Einblicke und Prognosen bis 2035

Marktgröße für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC).

Die globale Marktgröße für Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitermaterialien und -geräte betrug im Jahr 2025 36,97 Milliarden US-Dollar und soll im Jahr 2026 43,24 Milliarden US-Dollar auf 177,11 Milliarden US-Dollar im Jahr 2035 erreichen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 16,96 % im Prognosezeitraum [2026-2035] entspricht. Der Markt steht vor einer Skalierung, da SiC-Materialien und -Geräte in den Segmenten Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien, industrielle Automatisierung und Leistungselektroniksysteme zunehmend an Bedeutung gewinnen, wobei sich der US-Dollar-Wert schnell von mehreren zehn Milliarden auf weit über hundert Milliarden Dollar erhöht.

Auf dem US-amerikanischen Markt für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC) wird das Wachstum durch inländische Fertigungsinvestitionen, die Elektrifizierung der Automobilindustrie und Bemühungen zur Netzmodernisierung vorangetrieben. Die Einführung von SiC-Leistungsmodulen in US-amerikanischen Elektrofahrzeugen, eine erhöhte inländische Waferkapazität und Designänderungen auf Systemebene tragen zu Anteilsgewinnen im hohen einstelligen bis niedrigen zweistelligen Prozentbereich innerhalb des nationalen Ökosystems bei.

Wichtigste Erkenntnisse

• Marktgröße:36,97 Milliarden US-Dollar (2025) 43,24 Milliarden US-Dollar (2026) 177,11 Milliarden US-Dollar (2035) CAGR 16,96 %
• Wachstumstreiber:Steigende Akzeptanz von Elektroantriebssträngen (60 %), Nachfrage nach Netzelektrifizierung (45 %) und Einführung industrieller Automatisierung (50 %).
• Trends:Dominanz diskreter MOSFETs (44 %), 600-900-V-Segmentanteil (51,5 %), 6-Zoll-Waferanteil (73 %).
• Hauptakteure:Toshiba Corporation, Microsemi Corporation, Cree Incorporated, STMicroelectronics N.V, Genesic Semiconductor Inc und mehr.
• Regionale Einblicke:Asien-Pazifik 40 %, Nordamerika 28 %, Europa 22 %, Naher Osten und Afrika 10 %. Kombiniert = 100 %.
• Herausforderungen:Hohe Integrationskomplexität (30 %), Substratausbeutemängel (25 %), Fachkräftemangel (20 %).
• Auswirkungen auf die Branche:Steigerung der Systemeffizienz (35 %), Reduzierung der Schaltverluste (30 %), Verbesserungen des Wärmemanagements (25 %).
• Aktuelle Entwicklungen:Preisrückgang bei SiC-Substraten (30 %), Einführung gesinterter Verpackungen (60 %), SiC-Anteil bei neuen Projekten (38 %).

Einzigartige Informationen: Der Markt für SiC-Halbleitermaterialien und -Geräte ist einzigartig positioniert, um herkömmliche Silizium-Leistungselektronik zu ersetzen. Er bietet eine seltene Kombination aus Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzbetriebsfähigkeit, die Neukonstruktionen auf Systemebene über inkrementelle Upgrades hinaus ermöglicht.

Der Markt für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC) erlebt einen rasanten Wandel in der globalen Industrielandschaft. SiC entwickelt sich zu einem Schlüsselmaterial in der Leistungselektronik und ermöglicht den Betrieb von Geräten bei höheren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen im Vergleich zu herkömmlichen Siliziummaterialien. SiC bietet etwa die zehnfache elektrische Durchschlagsfeldstärke von Silizium und ermöglicht so Geräte mit dünneren Driftschichten und höheren Verunreinigungskonzentrationen. Diese Fähigkeit beschleunigt ihre Einführung in Branchen wie der Automobilindustrie, erneuerbaren Energien und der industriellen Leistungselektronik.

Markttrends für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC).

Ein bemerkenswerter Trend auf dem Markt für SiC-Halbleitermaterialien und -Geräte ist die regionale Dominanz des asiatisch-pazifischen Raums, der im Jahr 2024 über 56 % des weltweiten Anteils an Leistungshalbleitersegmenten ausmachte. Laut einer Branchenaufschlüsselung hielt allein das Automobil-Endverbrauchersegment im selben Jahr etwa 62 % des SiC-Leistungshalbleitermarkts. Bezogen auf die Gerätetypen machten diskrete MOSFETs im Jahr 2024 etwa 44 % des Marktes aus. Die Spannungsklasse 600–900 V eroberte im Jahr 2024 etwa 51,5 % des Marktanteils, und Wafer mit einer Größe von 6 Zoll eroberten etwa 73 % des Substratanteils. Diese prozentualen Fakten unterstreichen, wie bestimmte Segmente das Wachstum innerhalb des gesamten SiC-Ökosystems vorantreiben.

Marktdynamik für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC).

TREIBER

"Steigende Nachfrage nach Antriebssträngen für Elektrofahrzeuge"

Die zunehmende Verlagerung hin zu Elektrofahrzeugen fördert den Einsatz von SiC-Leistungsmodulen in Traktionswechselrichtern und Bordladegeräten. Automobilanwendungen machten im Jahr 2024 rund 62 % des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter aus, was zeigt, wie stark der EV-Sektor die Nachfrage antreibt. Darüber hinaus nimmt die Klasse >3,3 kV, obwohl sie kleiner ist, in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Systemen schnell zu.

GELEGENHEIT

"Wachstum der Strominfrastruktur für erneuerbare Energien"

SiC-Geräte werden zunehmend in Solarwechselrichtern, Windturbinenkonvertern und Netzmodernisierungsgeräten eingesetzt. Im Jahr 2024 hielt das Elektro- und Elektroniksegment etwa 26 % des gesamten Marktanteils an SiC-Materialien, was die Chancen in erneuerbaren Systemen verdeutlicht. Mit der Beschleunigung der Netzmodernisierung wird erwartet, dass die Rolle von SiC gestärkt wird.

Marktbeschränkungen

"Hohe Integrationskomplexität und veraltete Infrastruktur"

Der Übergang von älteren siliziumbasierten Systemen zu SiC-basierten Geräten erfordert häufig eine erhebliche Neugestaltung der leistungselektronischen Architektur, der Verpackung und des Wärmemanagements. Die vorhandene Infrastruktur unterstützt höhere Schaltfrequenzen oder die von SiC geforderte maßgeschneiderte Verpackung möglicherweise nicht ohne weiteres. Diese Integrationsherausforderungen verlangsamen die Einführungsgeschwindigkeit, insbesondere in Sektoren, in denen der Kostendruck oder die Einschränkungen bei der Nachrüstung hoch sind.

Marktherausforderungen

"Steigende Kosten und Fachkräftemangel"

Die Herstellung von SiC-Halbleitern erfordert Hochtemperaturöfen, eine strenge Ausbeutekontrolle und Wafergrößenübergänge (z. B. von 150 mm auf 200 mm), was die Kapital- und Betriebskosten in die Höhe treibt. Darüber hinaus mangelt es an qualifiziertem Personal mit Erfahrung in der Herstellung von Wide-Bandgap-Geräten, was die Kapazitätserweiterung in bestimmten Regionen begrenzt. Diese Kosten- und Talentengpässe stellen echte Hürden für eine schnelle Skalierung der Produktion dar.

Segmentierungsanalyse

In diesem Abschnitt wird untersucht, wie sich der Markt für SiC-Halbleitermaterialien und -Geräte nach Typ und Anwendung aufgliedert, und es wird ein Einblick in die Leistung bestimmter Segmente in Bezug auf Größe, Anteil und Wachstum gegeben.

Nach Typ

SIC-Leistungshalbleiter

SIC-Leistungshalbleiter umfassen diskrete Geräte, die für die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Leistungsumwandlung ausgelegt sind. Diese Halbleiter profitieren von den überlegenen Spannungs- und Wärmehandhabungseigenschaften von SiC und werden zunehmend in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge, Industrieantrieben und Systemen für erneuerbare Energien eingesetzt.

Dieser Typ hielt mit 43,24 Mrd. USD im Jahr 2026 den größten Marktanteil und stellte damit einen deutlichen Großteil des Gesamtmarktes dar. Es wird erwartet, dass dieses Segment von 2026 bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen wird, angetrieben durch die Einführung von Elektrofahrzeugen, die Elektrifizierung des Stromnetzes und die industrielle Automatisierung.

SIC-Leistungshalbleitergeräte

SIC-Leistungshalbleitergeräte beziehen sich auf verpackte Module und Geräte (z. B. MOSFETs, Dioden), die aus SiC-Materialien für eine effiziente Leistungsumwandlung hergestellt werden. Diese sind für Anwendungen unerlässlich, die reduzierte Verluste, kompakte Größe und thermische Belastbarkeit erfordern.

Dieser Typ machte einen erheblichen Teil des Marktes aus und eroberte im Jahr 2026 einen beträchtlichen Anteil des Marktes von 43,24 Milliarden US-Dollar. Bis 2035 wird er voraussichtlich mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, unterstützt durch die zunehmende Integration von Modulen und die Akzeptanz auf Systemebene.

SIC-Leistungsdiodenknoten

SIC-Leistungsdiodenknoten stellen die diodenbasierten Elemente in SiC-Stromversorgungssystemen dar und werden häufig in Freilaufschaltungen, Gleichrichtern und Anwendungen mit schneller Wiederherstellung verwendet, bei denen der Schaltvorteil von SiC von Bedeutung ist. Diese Komponenten werden in bestimmten hocheffizienten Topologien zunehmend gegenüber Siliziumäquivalenten bevorzugt.

Dieser Typ hat auch einen Anteil am Gesamtmarkt von 43,24 Mrd. USD für 2026 und entspricht der prognostizierten CAGR von 16,96 % bis 2035, da Systementwickler versuchen, Diodenverluste und Effizienz in Hochleistungssystemen zu optimieren.

Auf Antrag

Automobil

Das Automobilanwendungssegment umfasst die Verwendung von SiC-Materialien und -Geräten in Wechselrichtern, Bordladegeräten und Antriebssträngen für Elektrofahrzeuge. Angesichts der zunehmenden Verbreitung von Elektrofahrzeugen und Architekturen mit höherer Spannung (z. B. 800-V-Systeme) bleibt die Automobilindustrie der dominierende Endverbraucher für SiC-Halbleiter.

Die Automobilbranche hatte im Jahr 2026 mit einer Marktgröße von 43,24 Milliarden US-Dollar den größten Anteil, was einen erheblichen Anteil an der Gesamtakzeptanz darstellt. Es wird prognostiziert, dass dieses Segment von 2026 bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen wird, da die Architekturen von Elektrofahrzeugen ausgereift sind, die Einführung von Siliziumkarbid zunimmt und sich die Kostenparität nähert.

Luft- und Raumfahrt und Verteidigung

In Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen gewinnen SiC-Materialien und -Geräte für leistungselektronische Systeme, Radar und hochzuverlässige Module, bei denen es auf die Leistung unter extremen Bedingungen ankommt, immer mehr an Bedeutung. Die Fähigkeit von SiC-Geräten, bei höheren Temperaturen und in raueren Umgebungen zu arbeiten, macht sie für solche geschäftskritischen Systeme attraktiv.

Dieses Anwendungssegment eroberte einen wesentlichen Anteil innerhalb der Marktgröße von 43,24 Mrd. USD im Jahr 2026 und wird voraussichtlich von 2026 bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, unterstützt durch die Modernisierung von Verteidigungsplattformen und Bemühungen zur Flugzeugelektrifizierung.

Computer

In Computersystemen werden SiC-Halbleiter in Stromversorgungen, Rechenzentren und hocheffizienten Umwandlungsmodulen verwendet. Der Trend zu Servern und Beschleunigern mit höherer Leistung öffnet Türen für SiC-basierte Leistungsmodule, die geringere Verluste und eine höhere Dichte bieten.

Das Segment hatte im Jahr 2026 einen beachtlichen Anteil am Marktwert von 43,24 Milliarden US-Dollar und wird voraussichtlich bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, da der Strombedarf von Rechenzentren steigt und die Effizienzziele verschärft werden.

Unterhaltungselektronik

In der Unterhaltungselektronik finden SiC-Materialien und -Geräte zunehmend Verwendung in Schnellladegeräten, fortschrittlichen Gaming-Systemen und hocheffizienten Netzteilen. Ihr Vorteil liegt in der geringeren Wärmeerzeugung und der verbesserten Umwandlungseffizienz, was schlanke Formfaktoren und strenge thermische Einschränkungen unterstützt.

Das Segment hielt im Jahr 2026 einen Marktanteil von 43,24 Mrd. USD und soll von 2026 bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, da die Unterhaltungselektronik weiterhin nach höherer Effizienz und Miniaturisierung strebt.

Industriell

Das industrielle Anwendungssegment umfasst Fabrikautomation, Robotik, Frequenzumrichter und Energieverteilungsgeräte. SiC-Geräte werden aufgrund ihrer robusten Eigenschaften zunehmend für Hochleistungsmotoren, die Integration erneuerbarer Energien und die Netzschnittstellenelektronik ausgewählt.

Dieses Segment trug im Jahr 2026 zur Marktgröße von 43,24 Milliarden US-Dollar bei und wird voraussichtlich bis 2035 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, angetrieben durch den Vorstoß zur Elektrifizierung der Industrie und zur Modernisierung der intelligenten Fertigung.

Gesundheitspflege

SiC-Materialien und -Geräte werden in fortschrittlichen Stromversorgungen für medizinische Geräte, Bildgebungssystemen und hochzuverlässigen Modulen verwendet, bei denen es auf Haltbarkeit, Frequenzgang und thermische Belastbarkeit ankommt. Dies macht das Gesundheitssegment zu einer wachsenden Nische für die Einführung von SiC.

Das Gesundheitssegment nahm im Jahr 2026 an einem Marktvolumen von 43,24 Milliarden US-Dollar teil und soll von 2026 bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, da Stromversorgungssysteme für medizinische Geräte eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.

Energiesektor

Im Energiesektor werden SiC-Halbleiter in Wechselrichtern im Versorgungsmaßstab, Netzanbindungskonvertern, Hochspannungsübertragungssystemen und Smart-Grid-Elektronik eingesetzt. Aufgrund der überlegenen Effizienz und thermischen Leistung von SiC eignet es sich gut für groß angelegte Infrastrukturarbeiten.

Das Energiesektorsegment war Teil der Marktgröße von 43,24 Mrd. USD im Jahr 2026 und wird voraussichtlich bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 16,96 % wachsen, angetrieben durch globale Projekte zur Elektrifizierung, Netzmodernisierung und Integration erneuerbarer Energien.

Solar

SiC-Geräte werden zunehmend in Solar-Wechselrichtersystemen, Mikro-Wechselrichtern und Stromaufbereitungseinheiten für Photovoltaikanlagen eingesetzt. Ihre höhere Effizienz und Leistungsdichte bieten einen Leistungsvorteil für die Wirtschaftlichkeit des Solareinsatzes.

Das Segment der Solaranwendungen machte im Jahr 2026 einen Teil des Marktes von 43,24 Mrd. USD aus und wird voraussichtlich bis 2035 eine jährliche Wachstumsrate von 16,96 % beibehalten, da der Einsatz von Solarenergie weltweit weiter zunimmt und die Systemeffizienz immer wichtiger wird.

Regionaler Ausblick auf den Markt für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC).

Die regionale Aufteilung des Marktes für Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitermaterialien und -geräte zeigt unterschiedliche Akzeptanzmuster in den verschiedenen Regionen, die die Positionierung der Lieferkette, die Nachfrage der Endbenutzer und lokale Richtlinien widerspiegeln. In Nordamerika hat der Markt einen Anteil von etwa 28 %, in Europa etwa 22 %, im asiatisch-pazifischen Raum etwa 40 % und im Nahen Osten und Afrika etwa 10 % des Weltmarktes. Diese Prozentsätze unterstreichen, dass der asiatisch-pazifische Raum dominiert, während MEA eine kleinere regionale Komponente bleibt.

Nordamerika

In Nordamerika profitiert der Markt für SiC-Halbleitergeräte vom starken Wachstum der EV-Infrastruktur, der industriellen Automatisierung und der inländischen Waferherstellung. Die Region hält rund 28 % des Weltmarktanteils und verdeutlicht damit ihre Bedeutung in der High-End-Leistungselektronik und Premium-Systemintegration. In der Vergangenheit hat der Fokus auf Siliziumkarbid-Leistungsmodule für den elektrifizierten Verkehr und erneuerbare Energien dazu beigetragen, die Einführung von SiC-Materialien und -Geräten voranzutreiben.

Europa

Europa repräsentiert etwa 22 % des weltweiten Marktes für SiC-Halbleitermaterialien und -geräte. Der Anteil der Region wird durch strenge Energieeffizienzvorschriften, die Modernisierung erneuerbarer Netze und Programme zur Automobilelektrifizierung abgesichert. Europäische Hersteller und Systemintegratoren entscheiden sich zunehmend für SiC-Geräte gegenüber herkömmlichem Silizium, was die Wachstumsdynamik des regionalen Marktes innerhalb dieses 22-Prozent-Anteils unterstützt.

Asien-Pazifik

Der asiatisch-pazifische Raum ist die größte Region im Markt für SiC-Halbleitermaterialien und -geräte und macht etwa 40 % des weltweiten Marktanteils aus. Der hohe Anteil ist auf starke Produktionskapazitäten, eine wachsende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien sowie günstige Regierungsinitiativen zurückzuführen. Chinesische, japanische, koreanische und indische Ökosysteme stützen sich stark auf die Einführung von SiC, was die regionale Verbreitung erheblich steigert.

Naher Osten und Afrika

Die Region Naher Osten und Afrika hält etwa 10 % des weltweiten Marktes für SiC-Halbleitermaterialien und -geräte. Während der Anteil im Vergleich zu anderen Regionen geringer ist, profitiert MEA von der Ausweitung erneuerbarer Energieprojekte im Versorgungsmaßstab, der industriellen Elektrifizierung und der Eignung für Hochtemperatur-SiC-Geräte für Wüstenumgebungen. Die Region bietet eine Nische, aber innerhalb dieses Marktanteils von 10 % wächst die Nachfrage.

Liste der wichtigsten Unternehmen auf dem Markt für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC) profiliert

Investitionsanalyse und Chancen im Markt für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC).

Die Investitionen in den Markt für SiC-Halbleitermaterialien und -Geräte nehmen zu, da Unternehmen versuchen, von der Umstellung auf hocheffiziente Leistungselektronik zu profitieren. Über 60 % der Systemdesign-Entscheidungsträger geben an, dass sie SiC in Antriebs- und Wechselrichtersystemen der nächsten Generation einsetzen werden, und etwa 45 % stellen ein höheres Budget für die Integration von SiC-Geräten bereit. Chancen liegen in der Expansion im Wafer-Maßstab, Verpackungsinnovationen und der vertikalen Integration von Lieferketten. Brancheninsidern zufolge steigt der Anteil der für SiC in neuen Fabriken vorgesehenen Investitionen im Vergleich zum Vorjahr um mehr als 30 %. Investoren, die auf aufstrebende Produktionszentren im Osten, Engpässe bei der Substratversorgung und sinkende Kosten für SiC-Geräte abzielen, können in diesem sich entwickelnden Ökosystem übergroße Renditen erzielen.

Entwicklung neuer Produkte

Die Entwicklung neuer Produkte auf dem Markt für SiC-Materialien und -Geräte konzentriert sich auf Hochspannungsmodule, kompakte Verpackungen und die Integration mit größeren Siliziumkarbid-Wafern. Ungefähr 50 % der SiC-Geräteeinführungen in den letzten Jahren zielen auf die Spannungsklasse >900 V bis 1200 V und etwa 35 % auf den Traktionsumrichterbereich für Elektrofahrzeuge. Parallel dazu fließen fast 40 % der Ausgaben im Fertigungsplan in die Weiterentwicklung der 200-mm-Wafergröße und höhere Erträge für SiC-Substrate. Diese Entwicklungen deuten auf eine Verlagerung hin zu Leistungsverbesserungen auf Systemebene, niedrigeren Kosten pro Kanal und der Ermöglichung einer sektorübergreifenden Elektrifizierung der nächsten Generation hin.

Aktuelle Entwicklungen

• Entwicklung 1:Ein führender Hersteller von SiC-Wafern gab bekannt, dass über 55 % seiner Auftragseingänge im dritten Quartal auf Wechselrichtersysteme für Elektrofahrzeuge entfielen, was die zunehmende Bedeutung von SiC in der Automobilelektronik unterstreicht.
• Entwicklung 2:Ein Anbieter von Leistungsmodulen gab bekannt, dass etwa 42 % seiner Lieferungen neuer SiC-Module für netzgebundene Systeme für erneuerbare Energien bestimmt seien, was eine Diversifizierung über die Automobilbranche hinaus verdeutlicht.
• Entwicklung 3:Die Preise für SiC-Substrate gingen in einer Region um fast 30 % zurück, was einen Kostenrückgang widerspiegelt und eine breitere Akzeptanz von SiC-Geräten ermöglicht.
• Entwicklung 4:Mehr als 60 % der Investitionen in neue Gehäuse fließen mittlerweile in gesinterte SiC-Leistungsbauelemente statt in die herkömmliche Drahtbondtechnologie, was auf eine Weiterentwicklung der Gehäuse hindeutet.
• Entwicklung 5:Ein großer Systemintegrator berichtete, dass etwa 38 % seiner neuen Hochspannungsprojekte im nächsten Produktzyklus auf SiC-basierte Lösungen anstelle von Silizium umsteigen werden, was ein Zeichen für eine umfassende Umstellung auf Systemebene ist.

Berichterstattung melden

Dieser Bericht deckt den globalen Markt für Halbleitermaterialien und -geräte aus Siliziumkarbid (SiC) umfassend ab, einschließlich Segmentierung nach Typ und Anwendung, regionaler Perspektive und Unternehmensprofilen. Die Studie untersucht prozentuale Marktanteile, Materialakzeptanztrends, Gerätetypübergänge und Wafergrößendynamik. Dazu gehört auch die Wettbewerbslandschaft, in der sich etwa 91,9 % des Umsatzes auf die fünf größten Anbieter von SiC-Geräten konzentrieren, was eine hohe Marktkonzentration verdeutlicht. Die Berichterstattung erstreckt sich über die Einführung in Automobil-, Industrie-, Unterhaltungselektronik-, Energiesektor-, Solar- und Gesundheitsanwendungen und zeigt, dass rund 62 % der SiC-Leistungshalbleiter-Nutzung auf den Endverbrauch in der Automobilindustrie zurückzuführen ist. Außerdem wird die geografische Verteilung hervorgehoben (Asien-Pazifik 40 %, Nordamerika 28 %, Europa 22 %, Naher Osten und Afrika 10 %) und Kostenstrukturherausforderungen wie Substraterträge und Verpackungskomplexität bewertet. Darüber hinaus geht der Bericht auf Investitionsströme ein, bei denen über 45 % des Kapitals für die Fabrikerweiterung in die SiC-Produktion fließen, sowie auf Preistrends, bei denen der Druck auf die Substratkosten die Einsatzentscheidungen beeinflusst. Zusammenfassend bietet der Bericht Einblicke in die Material-zu-Gerät-Kette, strategische Wachstumshebel und Risikofaktoren für Stakeholder im SiC-Ökosystem.