Größe, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse des HF-Foundry-Service-Marktes, nach Typen (Siliziumbasierte HF-Gießerei, GaAs-HF-Gießerei, GaN-HF-Gießerei), nach abgedeckten Anwendungen (Leistungsverstärker, HF-Schalter, Filter, rauscharme Verstärker, andere), regionale Einblicke und Prognose bis 2033

Marktgröße für HF-Foundry-Services

Der weltweite Markt für RF-(Radiofrequenz-)Foundry-Services wurde im Jahr 2024 auf 9.007 Millionen US-Dollar geschätzt und wird bis 2025 voraussichtlich 9.584 Millionen US-Dollar erreichen. Angesichts der steigenden Nachfrage nach RF-Frontend-Modulen in Smartphones, IoT-Geräten, Kfz-Radarsystemen und 5G-Infrastruktur wird erwartet, dass der Markt deutlich wächst und bis 2033 15.743 Millionen US-Dollar erreicht, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von entspricht 6,4 % im Prognosezeitraum [2025–2033]. RF-Foundry-Services unterstützen die Produktion spezialisierter RF-ICs mithilfe von Prozesstechnologien wie SOI, GaAs und RF-CMOS und ermöglichen eine Hochfrequenzsignalübertragung, einen geringen Stromverbrauch und miniaturisierte Designs, die für drahtlose Technologien der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung sind.

Im Jahr 2024 wurden in den Vereinigten Staaten etwa 2,6 Milliarden HF-Chipeinheiten von Gießereidienstleistern hergestellt, was etwa 29 % des weltweit ausgelagerten HF-Komponentenvolumens entspricht. Davon wurden über 1,1 Milliarden Einheiten in 5G-fähigen Smartphones und Mobilgeräten verwendet, hauptsächlich von großen OEMs und Telekommunikationsanbietern. Weitere 780 Millionen Einheiten wurden für Automobil- und Luft- und Raumfahrtanwendungen produziert, darunter Vehicle-to-Everything (V2X)-Kommunikationssysteme und Satellitenkonnektivität. Die US-Produktionszentren in Arizona, New York und Kalifornien waren führend, unterstützt durch Halbleiter-F&E-Cluster und laufende Infrastrukturverbesserungen. Der US-Markt profitiert weiterhin von staatlichen Anreizen im Rahmen des CHIPS Act sowie von der zunehmenden Zusammenarbeit zwischen Fabless-Designunternehmen und RF-fokussierten Gießereien mit dem Ziel, die Abhängigkeit vom Ausland zu verringern und die steigende Inlandsnachfrage zu befriedigen.

Wichtigste Erkenntnisse

• Marktgröße:Der Wert liegt im Jahr 2025 bei 9.584 Millionen und wird bis 2033 voraussichtlich 15.743 Millionen erreichen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 6,4 % entspricht.
• Wachstumstreiber:47 % 5G-Einführung, 45 % IoT-Ausbau, 38 % RF-Outsourcing durch OEMs, 41 % Einführung von Automotive-Radar, 33 % Fabless-Modellwechsel
• Trends:60 % RF-SOI-Nutzung, 27 % IPD-Integration, 38 % Beamforming-Anforderung, 34 % mmWave-Skalierung, 29 % kundenspezifisches RF-Co-Design
• Hauptakteure:TSMC, Samsung Foundry, GlobalFoundries, United Microelectronics Corporation (UMC), SMIC
• Regionale Einblicke:Asien-Pazifik 46 %, Nordamerika 29 %, Europa 18 %, Naher Osten und Afrika 7 %. APAC ist führend bei der Geräteproduktion; NA ist führend bei Innovationen.
• Herausforderungen:18 % Ertragsverlust, 24 % Verpackungsinkonsistenz, 22 % Fachkräftemangel, 19 % Beeinträchtigung durch Substratgeräusche, 28 % Anstieg der Prozesskosten
• Auswirkungen auf die Branche:39 % Netzwerkoptimierung, 37 % Steigerung der Signalzuverlässigkeit, 35 % Miniaturisierung der Geräte, 41 % Energieeinsparung bei Komponenten, 36 % Integrationseffizienz
• Aktuelle Entwicklungen:32 % bessere Energieeffizienz, 26 % Verstärkungsleistung, 40 % Wafer-Ausgangsstoß, 90 Mio. GaAs-PAs ausgeliefert, 19 % Reduzierung der Modulgröße

Der RF-Foundry-Service-Markt durchläuft einen erheblichen Wandel, der durch die zunehmende Einführung drahtloser Technologien, IoT-Ökosysteme und die Einführung der 5G-Infrastruktur vorangetrieben wird. Ab 2025 ist dieser Markt zu einem integralen Bestandteil der Herstellung von Hochfrequenz-Halbleiterkomponenten geworden, die drahtlose Kommunikation ermöglichen. Fortschrittliche HF-Foundry-Services unterstützen mittlerweile eine Vielzahl von Branchen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zur Automobil- und Verteidigungsindustrie, da HF-Komponenten für Echtzeit-Konnektivität mit geringer Latenz unverzichtbar werden. Die Verlagerung hin zu Fabless-Halbleitermodellen hat die Nachfrage nach HF-Foundry-Fähigkeiten von Drittanbietern weiter verstärkt, da Unternehmen darauf abzielen, ihre Investitionsausgaben und Markteinführungszeiten zu reduzieren.

Markttrends für HF-Foundry-Services

Der Markt für HF-Gießereidienstleistungen erlebt eine Zunahme der Designkomplexität und schrumpfender Geometrien, was Gießereien dazu veranlasst, HF-spezifische Prozessknoten einzuführen. Gießereiunternehmen bieten jetzt RF-SOI- (Silicon on Insulator), SiGe- (Silicon-Germanium) und GaN- (Galliumnitrid) Technologien an, um den neuen Anforderungen gerecht zu werden. Im Jahr 2024 wurden über 60 % der in Smartphones verwendeten HF-Chips auf RF-SOI-Plattformen hergestellt. Darüber hinaus hat die zunehmende Verbreitung von 5G zu größeren Mengen an mmWave-Komponenten geführt, die spezielle HF-Frontend-Herstellungsprozesse erfordern.

Die IPD-Technologie (Integrated Passive Device) gewinnt an Dynamik, mit einem 27-prozentigen Anstieg der Integration zwischen Mobil- und IoT-Chipsätzen. Ein weiterer bemerkenswerter Trend ist die Zusammenarbeit zwischen Fabless-Firmen und Gießereien zur gemeinsamen Entwicklung kundenspezifischer HF-Lösungen, die die Designflexibilität und Leistung verbessern. Auch die Nachfrage nach Strahlformungskomponenten wie Phasenschiebern und Leistungsverstärkern ist aufgrund ihrer Verwendung in 5G- und Automobilradarsystemen um 38 % gestiegen. Da intelligente Geräte Multiband- und Breitbandunterstützung erfordern, entwickelt sich der Markt für RF-Foundry-Services weiter und bietet Designbibliotheken, fortschrittliche Verpackungen und Post-Silicon-Verifizierungsdienste an, die auf die Optimierung der RF-Leistung zugeschnitten sind.

Marktdynamik für HF-Foundry-Services

Der HF-Foundry-Service-Markt ist durch den rasanten digitalen Wandel in allen Branchen geprägt. Die ständig wachsende Zahl vernetzter Geräte hat einen anhaltenden Bedarf an hochfrequenten, hocheffizienten HF-Komponenten geschaffen. Von der Regierung unterstützte 5G-Initiativen und erhöhte Forschungs- und Entwicklungsinvestitionen von Halbleiterunternehmen treiben Innovationen bei HF-spezifischen Fertigungstechniken voran. Die Entwicklung des Edge Computing und der Echtzeit-Datenübertragung steigert die Nachfrage nach verlustarmen Hochfrequenz-Signalwegen weiter und beschleunigt die Einführung von GaN- und SiGe-Plattformen.

Gleichzeitig steht der Markt aufgrund hoher Einrichtungskosten und der begrenzten Verfügbarkeit von qualifiziertem Personal für HF-Design und -Tests unter Druck. Darüber hinaus stellt die Komplexität der RF-System-on-Chip (SoC)-Integration und -Packung betriebliche Herausforderungen dar. Die kontinuierliche Zusammenarbeit zwischen Gießereien, EDA-Tool-Anbietern und Fabless-Chipherstellern verbessert jedoch die Ausbeute, die Designportabilität und die schnellere Prototypenerstellung und macht den HF-Foundry-Service-Markt zu einem entscheidenden Knotenpunkt in der Lieferkette der drahtlosen Technologie.

GELEGENHEIT

Ausbau der GaN- und SiGe-Technologien in neuen Anwendungen

Neue Anwendungen in den Bereichen Verteidigung, Satellitenkommunikation und Elektrofahrzeuge eröffnen neue Chancen für den RF-Foundry-Service-Markt, insbesondere in den GaN- und SiGe-Prozesstechnologien. GaN bietet eine hohe Durchbruchspannung und Leistungsdichte und eignet sich daher ideal für Radar, drahtloses Backhaul und 5G-Infrastruktur. SiGe hingegen bietet Hochfrequenzleistung mit CMOS-Kompatibilität und eignet sich daher für IoT und Unterhaltungselektronik. Im Jahr 2024 stieg der Einsatz von GaN-basierten HF-Geräten in Telekommunikationsbasisstationen um 41 %. Gießereien, die in skalierbare GaN- und SiGe-Prozessplattformen investieren, sind gut aufgestellt, um dieser steigenden Nachfrage gerecht zu werden, und erschließen Branchen mit einem Umsatz von mehreren Milliarden Dollar, die maßgeschneiderte HF-Lösungen erfordern.

TREIBER

Wachsende Nachfrage nach HF-Komponenten in 5G- und IoT-Geräten

Der Aufstieg von 5G- und IoT-Geräten treibt den RF Foundry Service-Markt erheblich voran. Im Jahr 2024 wurden weltweit über 1,3 Milliarden 5G-fähige Smartphones ausgeliefert, von denen jedes mehrere HF-Frontend-Module enthielt, die auf Präzisionsgießereifertigung basieren. Im IoT-Sektor, der Smart Homes, Wearables und Industriesensoren umfasst, ist die Gerätekonnektivität im Jahresvergleich um 45 % gestiegen. Diese Geräte erfordern HF-Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch und hohem Wirkungsgrad, was OEMs dazu zwingt, die Produktion an spezialisierte Gießereien auszulagern. Darüber hinaus haben Automotive-Radar- und V2X-Kommunikationssysteme – die für autonome Fahrzeuge von entscheidender Bedeutung sind – die Nachfrage nach mmWave-HF-Komponenten angekurbelt und robuste Wachstumschancen für den HF-Foundry-Service-Markt geschaffen.

ZURÜCKHALTUNG

"Hohe Kosten und Komplexität der fortschrittlichen HF-Fertigung"

Trotz der starken Nachfrage wird der HF-Foundry-Service-Markt durch hohe Produktionskosten und technische Hindernisse eingeschränkt. Fortschrittliche HF-Knoten erfordern spezielle Prozesstechnologien und strenge Designregeln, was die Herstellungskosten erhöht. Im Jahr 2024 überstiegen die durchschnittlichen Kosten für das Tape-out eines RF-Frontend-SoCs 12 Millionen US-Dollar, was es für kleinere Chipdesigner unerschwinglich macht. Darüber hinaus führt die Aufrechterhaltung der Signalintegrität bei hohen Frequenzen zu einer Designkomplexität in Bezug auf Layout, Verpackung und Tests. Der Mangel an qualifizierten HF-Ingenieuren verschärft die Herausforderung noch weiter, da Ausbildung und Fachwissen im Hochfrequenz-Analog-Mischsignal-Design weltweit begrenzt sind.

HERAUSFORDERUNG

"Ertragsmanagement und Verpackungsbeschränkungen"

Die Erzielung einer hohen Ausbeute bei der Herstellung von HF-Komponenten bleibt eine zentrale Herausforderung im Markt für HF-Gießereidienstleistungen. Im Gegensatz zu digitalen Chips reagieren HF-Schaltkreise empfindlicher auf Parasiten und Layoutschwankungen, die die Leistung drastisch beeinträchtigen können. Im Jahr 2024 wurden bei der Produktion von HF-Frontend-Modulen Ausbeuteverluste von bis zu 18 % gemeldet, vor allem aufgrund von Verpackungsinkonsistenzen und Substratrauschen. Darüber hinaus erfordert die Integration von HF-Modulen mit digitalen Basisband-SoCs komplexe 3D-Packaging-Lösungen wie Flip-Chip- und Fan-Out-Wafer-Level-Packaging (FOWLP). Die Verwaltung dieser Technologien erfordert hohe Investitionskosten und spezialisierte Einrichtungen, was die Skalierbarkeit vieler mittelständischer Gießereien einschränkt.

Segmentierungsanalyse

Der HF-Foundry-Service-Markt ist nach Typ und Anwendung segmentiert. Nach Typ umfasst der Markt siliziumbasierte HF-Gießereien, GaAs-HF-Gießereien und GaN-HF-Gießereien. Jeder Typ erfüllt unterschiedliche Frequenz-, Leistungs- und Integrationsanforderungen. Im Anwendungsbereich unterstützt der Markt ein breites Spektrum an HF-Komponenten, darunter Leistungsverstärker, HF-Schalter, Filter, rauscharme Verstärker (LNAs) und andere. Die Diversifizierung in der Endverbrauchselektronik, von Mobiltelefonen bis hin zur Satellitenkommunikation, steigert den Bedarf an Prozessflexibilität, Lärmschutz und hoher Energieeffizienz in allen Segmenten.

Nach Typ

• Siliziumbasierte HF-Gießerei:Die siliziumbasierte HF-Gießerei bleibt die Mainstream-Technologie und dominiert die Produktion von HF-Chips im niedrigen bis mittleren Frequenzbereich. Im Jahr 2024 wurden fast 68 % der in Smartphones und IoT-Geräten verwendeten HF-Chips mithilfe von HF-CMOS- oder HF-SOI-Plattformen hergestellt. Dieser Typ wird aufgrund seiner Kosteneffizienz und Skalierbarkeit bevorzugt und ermöglicht eine Massenproduktion mit integrierter digitaler und analoger Funktionalität. Große Fabless-Anbieter verlassen sich weiterhin auf Siliziumgießereien für Volumenlieferungen, insbesondere für Anwendungen in der Unterhaltungselektronik und in tragbaren Geräten.
• GaAs-HF-Gießerei:GaAs RF Foundry-Dienstleistungen sind für Anwendungen, die eine überlegene Linearität und Leistungseffizienz erfordern, von entscheidender Bedeutung. GaAs ist das Material der Wahl für Hochfrequenz-Leistungsverstärker, die häufig in Mobiltelefonen, Satellitensystemen und Wi-Fi-6-Routern verwendet werden. Im Jahr 2024 wurden über 850 Millionen Smartphone-HF-Leistungsverstärker mit GaAs-Prozessen hergestellt. Sein inhärenter Vorteil der Elektronenmobilität ermöglicht eine höhere Verstärkung bei Mikrowellenfrequenzen, was es in HF-Frontend-Modulen für Mobiltelefone und in der drahtlosen Infrastruktur unverzichtbar macht.
• GaN-HF-Gießerei:GaN RF Foundry-Dienste verzeichnen ein beschleunigtes Wachstum, insbesondere bei Hochleistungsanwendungen wie Radar, Verteidigung und 5G-Basisstationen. GaN bietet erhebliche Leistungsvorteile, einschließlich hoher Wärmeleitfähigkeit, Leistungsdichte und Effizienz. Im Jahr 2024 verzeichneten GaN-basierte HF-Chips einen Anstieg der Telekommunikationseinsätze um 34 % und einen Anstieg der Satellitennutzlastintegrationen um 52 %. Gießereien, die sich auf GaN konzentrieren, erweitern ihre Kapazitäten für 150-mm- und 200-mm-Wafer, um der steigenden Nachfrage aus der Luft- und Raumfahrt- und Automobilbranche gerecht zu werden.

Auf Antrag

• Leistungsverstärker:Leistungsverstärker stellen das größte Anwendungssegment im HF-Foundry-Service-Markt dar. Mit dem Ausbau von 5G und Massive-MIMO-Systemen ist die Nachfrage nach effizienter Leistungsverstärkung sprunghaft angestiegen. Allein im Jahr 2024 wurden mehr als 3,1 Milliarden HF-Leistungsverstärker ausgeliefert, die meisten davon basierten auf GaAs- und GaN-Prozessen. Diese Komponenten sind entscheidend für die Steigerung der Signalstärke in Mobilgeräten, Basisstationen und Kommunikationssatelliten.
• HF-Schalter:HF-Schalter sind für die Signalweiterleitung in HF-Systemen unerlässlich und ihre Nachfrage steigt mit dem Aufkommen von Multiband- und Multimode-Geräten. Im Jahr 2024 stiegen die Lieferungen von HF-Schaltern um 29 %, angetrieben durch Anwendungen in Smartphones, Smart Metern und vernetzten Fahrzeugen. Die Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) dominiert dieses Segment und bietet eine geringe Einfügungsdämpfung und eine hohe Isolation, die für komplexe HF-Frontend-Architekturen erforderlich ist.
• Filter:Filter sind entscheidend für die Auswahl gewünschter Frequenzbänder und die Minderung von Interferenzen. Mit der Verdichtung drahtloser Netzwerke, insbesondere in städtischen Gebieten, ist der Bedarf an Hochleistungsfiltern gestiegen. Im Jahr 2024 wurden weltweit über 2,4 Milliarden HF-Filter produziert. Die Technologien Bulk Acoustic Wave (BAW) und Surface Acoustic Wave (SAW) sind weit verbreitet, und Gießereien erweitern ihre Filterdesign-Portfolios, um Ultrabreitband- und Sub-6-GHz-Anwendungen zu unterstützen.
• Rauscharme Verstärker:Rauscharme Verstärker (LNAs) spielen eine entscheidende Rolle bei der Verbesserung des Signalempfangs, insbesondere in Umgebungen mit schwachem Signal. Im Jahr 2024 stiegen die LNA-Einsätze um 33 %, angetrieben durch Anwendungen in GNSS-Modulen, IoT-Sensoren und 5G-Mobilgeräten. Diese Komponenten erfordern ein sorgfältiges analoges Design und rauscharme Substrate, was sie zu einem hochwertigen Ziel für spezialisierte HF-Gießereien macht.
• Andere;Die Kategorie „Andere“ umfasst Komponenten wie abstimmbare Kondensatoren, Baluns, Phasenschieber und Antennenabstimmmodule. Diese Elemente gewinnen in kompakten, multifunktionalen HF-Systemen zunehmend an Bedeutung. Im Jahr 2024 stieg die Nachfrage nach Phasenschiebern um 22 %, insbesondere bei Strahlformungsantennen für Automobilradar und mmWave-Kommunikation. Gießereien erweitern ihre IP-Bibliotheken und 3D-Integrationsfunktionen, um die zunehmende Komplexität dieser zusätzlichen HF-Komponenten zu unterstützen.

Regionaler Ausblick auf den HF-Foundry-Service-Markt

Der HF-Foundry-Service-Markt weist aufgrund der technologischen Infrastruktur, Regierungsinitiativen und der industriellen Nachfrage starke regionale Unterschiede auf. Nordamerika führt mit starken Investitionen in 5G-Infrastruktur und Verteidigungsanwendungen, gefolgt von Europa, das sich auf HF-Innovationen für die Automobilindustrie und intelligente Städte konzentriert. Der asiatisch-pazifische Raum ist die am schnellsten wachsende Region, gestützt durch eine starke Produktion von Unterhaltungselektronik und nationale Digitalisierungsbestrebungen. Unterdessen nutzt die Region Naher Osten und Afrika HF-Foundry-Fähigkeiten für den Ausbau der Telekommunikation und die Modernisierung des Militärs. Jede Region leistet einen einzigartigen Beitrag zur globalen Nachfrage- und Innovationspipeline.

Nordamerika

Nordamerika beherrscht einen erheblichen Teil des Marktes für RF-Foundry-Services, wobei die Vereinigten Staaten die Vorreiter bei den Anforderungen der 5G-Infrastruktur und des Verteidigungssektors sind. Im Jahr 2024 wurden in dieser Region über 450 Millionen HF-Frontend-Module ausgeliefert, die ein breites Ökosystem aus Smartphones, IoT-Geräten und militärischer Kommunikation unterstützen. Große Akteure der Halbleiterindustrie, darunter TSMC und Intel Foundry Services, haben ihre Fertigungsanlagen in Bundesstaaten wie Arizona und Texas erweitert. Darüber hinaus investiert Kanada in Satelliten-RF-Technologien und weltraumtaugliche Kommunikationsmodule.

Europa

Europa bleibt ein wichtiger Akteur auf dem HF-Foundry-Service-Markt und konzentriert sich auf hochzuverlässige HF-Lösungen in Automobilqualität. Deutschland, Frankreich und die Niederlande leisten mit der umfassenden Einführung von HF-Komponenten in Elektrofahrzeugen, industrieller Automatisierung und intelligenter Infrastruktur einen wichtigen Beitrag. Im Jahr 2024 wurden in europäischen Anwendungen etwa 240 Millionen HF-Chipsätze eingesetzt. Öffentlich-private Partnerschaften wie die IPCEI-Initiativen der EU fördern lokale Kapazitäten für die Halbleiterfertigung und das HF-Design. Europäische Gießereien legen bei der Herstellung von HF-Chips Wert auf Nachhaltigkeit und stromsparende Designtechniken.

Asien-Pazifik

Der asiatisch-pazifische Raum verfügt über die höchste Wachstumsdynamik im RF Foundry Service-Markt, angetrieben von Ländern wie China, Südkorea, Japan und Taiwan. Im Jahr 2024 wurden in der Region über 1,2 Milliarden HF-Komponenten für Smartphones, intelligente Geräte und Basisstationen ausgeliefert. Taiwan bleibt das Epizentrum, wobei TSMC die weltweite Herstellung von HF-Chips anführt. China baut seine inländischen Kapazitäten über SMIC und andere lokale Fabriken aus, während Südkoreas Gießereien wie Samsung die HF-Integration der nächsten Generation vorantreiben. Japan zeichnet sich weiterhin durch fortschrittliche Verpackungs- und HF-MEMS-Technologien aus.

Naher Osten und Afrika

Die Region Naher Osten und Afrika ist ein aufstrebendes Ziel für die Expansion des RF-Foundry-Service-Marktes. Die Regierungen in den Vereinigten Arabischen Emiraten und Saudi-Arabien investieren stark in die 5G-Infrastruktur und die industrielle Automatisierung, was die Nachfrage nach HF-Komponenten ankurbelt. Im Jahr 2024 wurden über 120 Millionen HF-Module in Telekommunikations-, Verteidigungs- und Smart-Grid-Anwendungen eingesetzt. Afrika verzeichnet eine zunehmende Bedeutung der HF-Foundry für die Satellitenkommunikation und den mobilen Internetzugang. Lokale Montage- und Testeinheiten werden durch internationale Partnerschaften unterstützt, um die regionale Produktion und das Fachwissen von HF-Chips zu stärken.

Liste der führenden HF-Foundry-Dienstleistungsunternehmen

Investitionsanalyse und -chancen

Der RF-Foundry-Service-Markt erlebt einen Anstieg globaler Investitionen, angetrieben durch die Nachfrage nach Konnektivität der nächsten Generation und fortschrittlichen RF-Anwendungen. Im Jahr 2024 wurden weltweit über 36 Halbleiter-Investitionsprojekte initiiert, deren Schwerpunkt auf der Aufrüstung der HF-Technologie und der Kapazitätserweiterung lag. Beispielsweise erhielten in Taiwan ansässige Gießereien Investitionen in Höhe von mehreren Milliarden Dollar für die Erweiterung der RF-SOI-Kapazität. In den USA unterstützten Bundesmittel für Halbleiter den Bau von RF-fokussierten Fabriken und fortschrittlichen Verpackungszentren. China hat im Rahmen seiner Eigenständigkeitsprogramme seine inländischen HF-Foundry-Initiativen ausgeweitet und über 15 neue Fertigungslinien für GaAs- und GaN-HF-Komponenten eingerichtet. Darüber hinaus haben Startups, die sich auf mmWave-Designautomatisierung und RF-Analog-IP konzentrieren, Risikokapital in Höhe von über 600 Millionen US-Dollar eingesammelt. Der Trend wird zusätzlich durch die Nachfrage von Elektrofahrzeugen, der Luft- und Raumfahrt sowie intelligenten Infrastrukturprojekten unterstützt, die alle eine Optimierung der HF-Leistung erfordern. Dies macht die Investitionslandschaft sowohl für private als auch für öffentliche Akteure äußerst dynamisch und attraktiv.

Entwicklung neuer Produkte

Neue Produktinnovationen auf dem HF-Foundry-Service-Markt nehmen zu, da OEMs und Gießereien auf die Nachfrage nach Miniaturisierung, Effizienz und Hochfrequenzfähigkeiten reagieren. Im Jahr 2024 stellte Samsung eine neue 8-nm-HF-Plattform vor, die für die 5G-Basisband- und Front-End-Integration optimiert ist. TSMC hat seine RF-SOI-Plattform der dritten Generation auf den Markt gebracht, die eine verbesserte Leistung bei Sub-6-GHz- und mmWave-Anwendungen bietet. GlobalFoundries stellte einen fortschrittlichen RF-Prozess vor, der Wi-Fi 7 und Ultra-Breitband-Geräte unterstützt und damit den wachsenden Anforderungen in Smart Homes und industriellem IoT gerecht wird. Darüber hinaus veröffentlichte X-FAB eine neue GaN-on-Si-Prozesstechnologie für Radar- und Raumfahrtsysteme in der Automobilindustrie. Chinesische Hersteller wie SMIC und Sanan IC kündigten außerdem neue GaAs-Prozesse an, die auf mittelgroße 5G-Smartphones und Telekommunikationsinfrastruktur zugeschnitten sind. Diese Innovationen machen HF-Komponenten kleiner, schneller und energieeffizienter und tragen so zu einer schnellen Expansion der vernetzten Elektronik bei.

Aktuelle Entwicklungen

• Im Jahr 2023 erweiterte TSMC seine RF-SOI-Plattform zur Unterstützung von Wi-Fi 7 und erreichte so eine um 32 % bessere Energieeffizienz.
• Die GaN-HF-Plattform 2024 von Samsung erreichte eine um 26 % höhere Verstärkungsleistung für die Telekommunikationsinfrastruktur.
• GlobalFoundries kündigte eine Steigerung der HF-Waferproduktion um 40 % im Jahr 2023 an, um 5G- und IoT-Anwendungen zu unterstützen.
• WIN Semiconductors hat 2024 einen hochlinearen GaAs-Prozess eingeführt, der in über 90 Millionen Smartphone-PAs verwendet wird.
• Intel Foundry Services führte im vierten Quartal 2024 ein Pilotprojekt zur 3D-Integration von RF-SoC-Paketen durch und reduzierte die Modulgröße um 19 %.

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Dieser Bericht liefert eine detaillierte Analyse des Marktes für HF-Foundry-Services und beschreibt dessen Segmentierung nach Typ, Anwendung und Region. Es skizziert technologische Trends, einschließlich der Verlagerung hin zu GaN- und SiGe-Prozessen, der RF-SOI-Integration und der Nachfrage nach mmWave-Geräten. Der Bericht bewertet das Ökosystem führender Gießereien, Fabless-Chiphersteller und Anbieter von Designtools. Es enthält eine Aufschlüsselung der regionalen Investitionen, der Produktionsleistung und des Einsatzes in den Bereichen 5G, Automobil, IoT und Luft- und Raumfahrt. Die Studie bewertet Herausforderungen wie Ertragsmanagement, Verpackungsbeschränkungen und Talentlücken im Ingenieurwesen. Strategische Initiativen, M&A-Aktivitäten und Kapazitätserweiterungen werden verfolgt, um Einblicke in die Wettbewerbsfähigkeit des Marktes zu bieten. Außerdem werden die leistungsstärksten Akteure mit Marktanteilskennzahlen, Produktionskapazitäten und technologischen Roadmaps profiliert.